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【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ16CAE3
SMLJ16CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 115.4 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ16AE3
SMLJ16AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 115.4 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ15CAE3
SMLJ15CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 123 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ150CAE3
SMLJ150CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ14CAE3
SMLJ14CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 129.4 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ13CA
SMLJ13CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 139.4 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ13A
SMLJ13A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 139.4 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ130CA
SMLJ130CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 130V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 14.4 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ130A
SMLJ130A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 14.4 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ12AE3
SMLJ12AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 150.6 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ120CAE3
SMLJ120CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 15.6 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ120AE3
SMLJ120AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 15.6 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ11CAE3
SMLJ11CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 164.8 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ110CAE3
SMLJ110CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 16.8 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ10CAE3
SMLJ10CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 176.4 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ10AE3
SMLJ10AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 176.4 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJLCE6.5AE3
SMCJLCE6.5AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJLCE54E3/TR7
SMCJLCE54E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.6 A... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJLCE33A/TR7
SMCJLCE33A/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28.1 A;... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJLCE30AE3M/TR
SMCJLCE30AE3M/TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 31 A;...