搜索结果：3相关的内容
-
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ40AE3
SMAJ40AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ36E3
SMAJ36E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.8 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ36CE3
SMAJ36CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.8 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ36CAE3
SMAJ36CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ36AE3
SMAJ36AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ33E3
SMAJ33E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ33CE3
SMAJ33CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ33CAE3
SMAJ33CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.4 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ33AE3
SMAJ33AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.4 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ30E3
SMAJ30E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ30CE3
SMAJ30CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ30CAE3
SMAJ30CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ30AE3
SMAJ30AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ28E3
SMAJ28E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ28CE3
SMAJ28CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ48CE3
SMLJ48CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 35 A; 最大反向漏电流: 2... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ48CAE3
SMLJ48CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 38.8 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ48AE3
SMLJ48AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 38.8 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ45E3
SMLJ45E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 37.4 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMLJ45CE3
SMLJ45CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 37.4 A; 最大反向漏电流:...