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【保护器件(TVS-ESD)】1N6103AUS
1N6103AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6103US
1N6103US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6113AUS
1N6113AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6113US
1N6113US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6123AUS
1N6123AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6123US
1N6123US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6130AUS
1N6130AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 76V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6131AUS
1N6131AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 86.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.3 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6132AUS
1N6132AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 91.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6133AUS
1N6133AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 98.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6133US
1N6133US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 98.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6134AUS
1N6134AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6135AUS
1N6135AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6136AUS
1N6136AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6137AUS
1N6137AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 152V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6463US
1N6463US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 125 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】30KPA144AE3
30KPA144AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 144V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 135.8 A; 最大反... -
【保护器件(TVS-ESD)】30KPA150CAE3
30KPA150CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 129.8 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】30KPA260CAE3
30KPA260CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 260V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 72.8 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】30KPA39CAE3
30KPA39CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 39V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 450.9 A; 最大反向漏电...