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【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ20CE3
SMBJ20CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.7 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ20CAE3
SMBJ20CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ20CA
SMBJ20CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.5 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ20AE3
SMBJ20AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.5 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ20A
SMBJ20A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.5 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ200E3
SMBJ200E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ200CE3
SMBJ200CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Sur... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ200CAE3
SMBJ200CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ200AE3
SMBJ200AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: S... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ12E3
SMBJ12E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.3 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ12CE3
SMBJ12CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.3 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ12CAE3
SMBJ12CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30.2 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ12CA
SMBJ12CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30.2 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ12AE3
SMBJ12AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30.2 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ12A
SMBJ12A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30.2 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ120E3
SMBJ120E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ120CE3
SMBJ120CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ120CAE3
SMBJ120CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ120CA
SMBJ120CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ120AE3
SMBJ120AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏...