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【保护器件(TVS-ESD)】1.5KE82CAHE3
1.5KE82CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1.5KE82CARL4
1.5KE82CARL4, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】15KP28A/TR8
15KP28A/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 316 A; 最大反... -
【保护器件(TVS-ESD)】15KP36CA/TR12
15KP36CA/TR12, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 251 A; 最大反... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N5612
1N5612, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 49V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流: 5... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6112
1N6112, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.9 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6112A
1N6112A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.9 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6120
1N6120, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: 1 ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6120A
1N6120A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6121A
1N6121A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 32.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6122A
1N6122A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 35.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.7 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6123A
1N6123A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6124
1N6124, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Semtech,封装:2Case G-95,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6124A
1N6124A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6125
1N6125, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.9 A; 最大反向漏电流: 1 ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6125A
1N6125A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.9 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6126A
1N6126A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.1 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6127A
1N6127A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 56V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流: 1 u... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6128
1N6128, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 62.2V 500W,品牌:Semtech,封装:2Case G-95,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.2 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6128A
1N6128A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 62.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: 1...