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【单片机(微控制器)】STM32F103ZGH6
STM32F103ZGH6,单片机，微控制器，72MHz，32位，1MB闪存，96K RAM内存,品牌:ST,封装:144-LFBGA,参数:MCU,72MHz,32Bit,1MB Flash,96K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【单片机(微控制器)】STM32F103ZGT6
STM32F103ZGT6,单片机，微控制器，72MHz，32位，1MB闪存，96K RAM内存,品牌:ST,封装:144-LQFP,参数:MCU,72MHz,32Bit,1MB Flash,96K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【单片机(微控制器)】STM32F407ZGT6
STM32F407ZGT6,单片机，微控制器，168MHz，32位，1MB闪存，192K RAM内存,品牌:ST,封装:144-LQFP,参数:MCU,168MHz,32Bit,1MB Flash,192K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【单片机(微控制器)】STM32F407IGH6
STM32F407IGH6,单片机，微控制器，168MHz，32位，1MB闪存，192K RAM内存,品牌:ST,封装:201-UFBGA,参数:MCU,168MHz,32Bit,1MB Flash,192K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【单片机(微控制器)】STR711FR2T6
STR711FR2T6,单片机，微控制器，66MHz，32位，256KB闪存，64K RAM内存,品牌:ST,封装:64-LQFP,参数:MCU,66MHz,32Bit,256KB Flash,64K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【单片机(微控制器)】STM32F217VGT6
STM32F217VGT6,单片机，微控制器，120MHz，32位，1MB闪存，132K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LQFP,参数:MCU,120MHz,32Bit,1MB Flash,132K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【单片机(微控制器)】STM32F417IGH6
STM32F417IGH6,单片机，微控制器，168MHz，32位，1MB闪存，192K RAM内存,品牌:ST,封装:201-UFBGA,参数:MCU,168MHz,32Bit,1MB Flash,192K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRG7PH28UD1MPBF
IRG7PH28UD1MPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. ... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG7PH28UD1PBF
IRG7PH28UD1PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG7PH42U-EP
IRG7PH42U-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG7PH42UD1-EP
IRG7PH42UD1-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG7PH42UD1MPBF
IRG7PH42UD1MPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. ... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG7PH42UDPBF
IRG7PH42UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG8P08N120KD-EPBF
IRG8P08N120KD-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG8P08N120KDPBF
IRG8P08N120KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃.... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG8P15N120KD-EPBF
IRG8P15N120KD-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG8P15N120KDPBF
IRG8P15N120KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃.... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG8P25N120KD-EPBF
IRG8P25N120KD-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG8P25N120KDPBF
IRG8P25N120KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃.... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG8P40N120KD-EPBF
IRG8P40N120KD-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ...