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【可控硅(晶闸管)】VS-VSKH250-12PBF
VS-VSKH250-12PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:MAGN-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:500 mA; 额定平均通态电流:250 A; 浪涌电流额定值:8900 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.... -
【可控硅(晶闸管)】VS-VSKH250-16PBF
VS-VSKH250-16PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:MAGN-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:500 mA; 额定平均通态电流:250 A; 浪涌电流额定值:8900 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.... -
【功率晶体管】MMBT3904-R1-00001
MMBT3904-R1-00001,功率晶体管,品牌:Panjit,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@... -
【功率晶体管】MMBT2907A-13-F
MMBT2907A-13-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V... -
【功率晶体管】MMBT2222A-13
MMBT2222A-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@... -
【功率晶体管】MMBT123S-7-F
MMBT123S-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:18 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@30m... -
【功率晶体管】MJE210
MJE210,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:70@500mA@1V|45@2A@1V|10@5A@2V; 最大工作频率:65(Min) MHz... -
【功率晶体管】MJE182
MJE182,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:50@100mA@1V|30@500mA@1V|12@1.5A@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集... -
【功率晶体管】MJE172
MJE172,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:SOT-32-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:50@100mA@1V|30@500mA@1V|12@1.5A@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集... -
【功率晶体管】MJD45H11T4-A
MJD45H11T4-A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; ... -
【功率晶体管】MJD45H11T4
MJD45H11T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; 最大... -
【功率晶体管】MJD44H11T4-A
MJD44H11T4-A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; ... -
【功率晶体管】MJD44H11T4
MJD44H11T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; 工作... -
【功率晶体管】MJD361T4-A
MJD361T4-A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:90@200mA@1V|60@1A@4V|30@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.1... -
【功率晶体管】MJD350-13
MJD350-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1... -
【功率晶体管】MJD340-13
MJD340-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1... -
【功率晶体管】MJD32C-13
MJD32C-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375m... -
【功率晶体管】MJD31CT4-A
MJD31CT4-A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A... -
【功率晶体管】MJD31CT4-A
MJD31CT4-A,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-252-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A V; 最大集电极基... -
【功率晶体管】MJD31CT4
MJD31CT4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:20@500mA@10V|3@0.5A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375m...