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【保护器件(TVS-ESD)】1N6132AUS
1N6132AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 91.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6133AUS
1N6133AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 98.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6133US
1N6133US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 98.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6134AUS
1N6134AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6135AUS
1N6135AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6136AUS
1N6136AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6137AUS
1N6137AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 152V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6461US
1N6461US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 315 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6462US
1N6462US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 258 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6463US
1N6463US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 125 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6464US
1N6464US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 107 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6465US
1N6465US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 69 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6466US
1N6466US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.5V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 63 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6467US
1N6467US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.3V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6468US
1N6468US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 35 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】30KPA144AE3
30KPA144AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 144V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 135.8 A; 最大反... -
【保护器件(TVS-ESD)】30KPA150CAE3
30KPA150CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 129.8 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】DFLT10A-7
DFLT10A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最... -
【保护器件(TVS-ESD)】DFLT11A-7
DFLT11A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最... -
【保护器件(TVS-ESD)】DFLT12A-7
DFLT12A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 11.3 A; 最...