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【保护器件(TVS-ESD)】1N6106US
1N6106US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6107AUS
1N6107AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6107US
1N6107US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: 2... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6108AUS
1N6108AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.6 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6108US
1N6108US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.6 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6109AUS
1N6109AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6109US
1N6109US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.5 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6110AUS
1N6110AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.8 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6110US
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【保护器件(TVS-ESD)】1N6111AUS
1N6111AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6111US
1N6111US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6112AUS
1N6112AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.9 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6112US
1N6112US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.9 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6113AUS
1N6113AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6113US
1N6113US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6114AUS
1N6114AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6114US
1N6114US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6115AUS
1N6115AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6115US
1N6115US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6116AUS
1N6116AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.4 A; 最大反向漏电...