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【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ11E3
SMAJ11E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 24.9 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ11CE3
SMAJ11CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 24.9 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ11CAE3
SMAJ11CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.4 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ11AE3
SMAJ11AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.4 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ110E3
SMAJ110E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ110CE3
SMAJ110CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ110CAE3
SMAJ110CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ110AE3
SMAJ110AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ10E3
SMAJ10E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 26.6 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ10CE3
SMAJ10CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 26.6 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ10CAE3
SMAJ10CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.4 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ10AE3
SMAJ10AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.4 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ100E3
SMAJ100E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ100CE3
SMAJ100CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ100CAE3
SMAJ100CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ100AE3
SMAJ100AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4SMA510AHE3_A/H
P4SMA510AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 434V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE9.1D-E3
P4KE9.1D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 30.3 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE51D-E3
P4KE51D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE18D-E3
P4KE18D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 16.1 A; 最大反向漏电流: ...