搜索结果：1相关的内容
-
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ10A
SMCJ10A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88.2 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ100E3
SMCJ100E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ100CE3
SMCJ100CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ100CAE3
SMCJ100CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ100CA
SMCJ100CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ100AE3
SMCJ100AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ100A
SMCJ100A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMC3K51CAHM3
SMC3K51CAHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 51V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 36.4 A; ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMC3K51CA-M3
SMC3K51CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 51V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 36.4 A; ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ51E3
SMAJ51E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ51CE3
SMAJ51CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ51AE3
SMAJ51AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ18E3
SMAJ18E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ18CE3
SMAJ18CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.5 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ18CAE3
SMAJ18CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ18AE3
SMAJ18AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ17E3
SMAJ17E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ17CE3
SMAJ17CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ17CAE3
SMAJ17CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ17AE3
SMAJ17AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电...