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【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6071E3
SMCJ6071E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 165V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6071AE3
SMCJ6071AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.1 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6071A
SMCJ6071A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.1 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6071
SMCJ6071, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 165V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6061E3
SMCJ6061E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 66V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.7 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6061AE3
SMCJ6061AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6061A
SMCJ6061A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6061
SMCJ6061, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 66V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.7 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6051E3
SMCJ6051E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 31.5 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6051AE3
SMCJ6051AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6051A
SMCJ6051A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6051
SMCJ6051, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 31.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6041E3
SMCJ6041E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 87 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6041AE3
SMCJ6041AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6041A
SMCJ6041A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6041
SMCJ6041, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 87 A; 最大反向漏电流: 5... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5661E3
SMCJ5661E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 121V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5661AE3
SMCJ5661AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 128V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5661A
SMCJ5661A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 128V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5661
SMCJ5661, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 121V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7 A; 最大反向漏电流...