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【保护器件(TVS-ESD)】SMP11A-M3
SMP11A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 400W,品牌:Vishay,封装:2SMP,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMM4F12AVCL
SMM4F12AVCL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 400W,品牌:ST,封装:2STmite Flat,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SML01-14
SML01-14, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 400W,品牌:Vishay,封装:2SMP,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 11.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA;... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMF12A-E3-08
SMF12A-E3-08, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 1000W,品牌:Vishay,封装:2SMF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 10.1 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA15C-8E3/TR7
SMDA15C-8E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA15C-8/TR7
SMDA15C-8/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA15C-8
SMDA15C-8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA15C-7E3/TR7
SMDA15C-7E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA15C-7E3
SMDA15C-7E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA15C-7/TR7
SMDA15C-7/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA15C-7
SMDA15C-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA12C-8E3/TR7
SMDA12C-8E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA12C-8/TR7
SMDA12C-8/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA12C-8
SMDA12C-8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA12C-7E3/TR7
SMDA12C-7E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA12C-7E3
SMDA12C-7E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA12C-7/TR7
SMDA12C-7/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMDA12C-7
SMDA12C-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ90CA-13-F
SMCJ90CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 5... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ90A-13-F
SMCJ90A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 90V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: ...