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【保护器件(TVS-ESD)】1N6045
1N6045, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 56.5 A; 最大反向漏电流: 5 u... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6045A
1N6045A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流: 5 ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6046
1N6046, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 51.5 A; 最大反向漏电流: 5 u... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6046A
1N6046A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 54 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6047
1N6047, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 47 A; 最大反向漏电流: 5 uA;... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6047A
1N6047A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6047A/TR
1N6047A/TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 18V 1500W,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6048
1N6048, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 19V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 43 A; 最大反向漏电流: 5 uA;... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6048A
1N6048A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6049
1N6049, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 21V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 38.5 A; 最大反向漏电流: 5 u... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6049A
1N6049A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6050
1N6050, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流: 5 u... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6050A
1N6050A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6051
1N6051, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 31.5 A; 最大反向漏电流: 5 u... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6051A
1N6051A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6052
1N6052, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 29 A; 最大反向漏电流: 5 uA;... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6052A
1N6052A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6053
1N6053, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 31V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 26.5 A; 最大反向漏电流: 5 u... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6053A
1N6053A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6054
1N6054, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 34V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...