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【保护器件(TVS-ESD)】1N5665A
1N5665A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 171V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N5907
1N5907, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 120 A; 最大反向漏电流: 300... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6036
1N6036, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 128 A; 最大反向漏电流: 100... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6036A
1N6036A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 132 A; 最大反向漏电流: 1000... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6037
1N6037, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 120 A; 最大反向漏电流: 500... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6037A
1N6037A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流: 500 ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6038
1N6038, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 109 A; 最大反向漏电流: 200 u... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6038A
1N6038A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电流: 20... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6039
1N6039, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 50 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6039A
1N6039A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 50... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6040
1N6040, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 93 A; 最大反向漏电流: 10 u... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6040A
1N6040A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96 A; 最大反向漏电流: 10 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6041
1N6041, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 87 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6041A
1N6041A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6042
1N6042, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 79 A; 最大反向漏电流: 5 uA;... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6042A
1N6042A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6043
1N6043, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 68 A; 最大反向漏电流: 5 uA;... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6043A
1N6043A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6044
1N6044, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 64 A; 最大反向漏电流: 5 uA;... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6044A
1N6044A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 67 A; 最大反向漏电流: 5 uA...