登录
注册账号
|
忘记密码
社交账号登录
首页
产品展示
集成电路(IC)
单片机(微控制器)
逻辑IC
运算放大器(运放)
数据转换器(模数转换)
可编程逻辑器件(FPGA-CPLD)
数字信号处理器(DSP)
电源管理IC
RF射频IC及微波元器件
二极管
开关二极管
稳压二极管
肖特基二极管
PIN二极管
TVS二极管
变容二极管
整流二极管-整流桥堆
三极管
通用三极管
达林顿管
数字晶体管
功率晶体管
其它三极管
场效应管(MosFET)
N沟道场效应管
P沟道场效应管
双N-双P沟道MOS管
IGBT管-IGBT模块
其它场效应管
开关元件
可控硅(晶闸管)
光电耦合器(光耦)
整流器(整流管)
继电器
传感器
光电传感器(槽型开关)
霍尔传感器
声波传感器
气敏传感器
力敏传感器(压力传感器)
热释电红外传感器(PIR)
温度-湿度传感器
其它
光电器件
光电收发器
硅光电池-光电二极管
其它
保护器件(TVS-ESD)
压电晶体,频率元件(晶振)
连接器,接插件
LED显示器件
电容器
三星贴片电容(MLCC)
贴片钽电容
电阻器
电感器
其它产品
优势推荐
每日一推
选型手册
联系我们
搜索
热搜型号
2025
2024
2026
2018
XC4052XLA-HQ240AKP
2011
在线支持:
搜索结果:
1
相关的内容
【IGBT管-IGBT模块】SKP10N60A
SKP10N60A,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
【IGBT管-IGBT模块】SKP10N60AXKSA1
SKP10N60AXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
【IGBT管-IGBT模块】SKP15N60
SKP15N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
【IGBT管-IGBT模块】SKP15N60XKSA1
SKP15N60XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
【IGBT管-IGBT模块】SKW07N120FKSA1
SKW07N120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:16.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
【IGBT管-IGBT模块】SKW15N120
SKW15N120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
【IGBT管-IGBT模块】SKW15N120FKSA1
SKW15N120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
【IGBT管-IGBT模块】SKW20N60FKSA1
SKW20N60FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
【IGBT管-IGBT模块】SKW20N60HSFKSA1
SKW20N60HSFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:36 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
【IGBT管-IGBT模块】SKW25N120FKSA1
SKW25N120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
【IGBT管-IGBT模块】SKW30N60FKSA1
SKW30N60FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
【IGBT管-IGBT模块】SKW30N60HSFKSA1
SKW30N60HSFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
【IGBT管-IGBT模块】STGB10H60DF
STGB10H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 t...
【IGBT管-IGBT模块】STGB10NB37LZ
STGB10NB37LZ,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:440 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:...
【IGBT管-IGBT模块】STGB10NB40LZT4
STGB10NB40LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:380 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:12 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
【IGBT管-IGBT模块】STGB10NC60KT4
STGB10NC60KT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
【IGBT管-IGBT模块】STGB14NC60KDT4
STGB14NC60KDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
【IGBT管-IGBT模块】STGB14NC60KDT4
STGB14NC60KDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请...
【保护器件(TVS-ESD)】DF2B12M2SC(TPL3)
DF2B12M2SC(TPL3),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:SC-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:18(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact D...
【保护器件(TVS-ESD)】DF6D7M1N,LF
DF6D7M1N,LF,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:DFN-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Contact Disc k...
上一页
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
下一页