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MBRB10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.95V,Ir=0.01mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030
MBR1030,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD20150CT
MBRD20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30150FCT
MBR30150FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3035FCT
MBR3035FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-320B2-28V-023L
BR246-320B2-28V-023L,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DK2A-L2-5V
DK2A-L2-5V,继电器,DPST-NO,8A,5VDC,125Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN21024J
AGN21024J,继电器,DPDT,1A,24VDC,4.8KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:5 mA; 线圈电阻:4.8 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200S03XJ
AGN200S03XJ,继电器,DPDT,1A,3VDC,64.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:46.7 mA; 线圈电阻:64.2 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1ARP24J
CB1ARP24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN20009J
AGN20009J,继电器,DPDT,1A,9VDC,579Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:15.5 mA; 线圈电阻:579 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARX1106J
ARX1106J,继电器,SPDT,0.5A,6VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Gold Clad; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-78B3-12V-016L
BR230-78B3-12V-016L,继电器,4PDT,10A,12V,78Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:153.85 mA; 线圈电阻:78 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHR12J
CB1AHR12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,89.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:134 mA; 线圈电阻:89.5 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFDM24J
CB1AHFDM24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1TP12J
CB1TP12J,继电器,SPDT,40(NO)/30(NC)A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:40(NO)/30(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AFD12J
CB1AFD12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CS3020
CS3020,霍尔传感器,由CN原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S196HCPSF
GP1S196HCPSF,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP1.2-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,贴片无固定孔,长3.1mm宽2.0mm高2.7mm,槽宽1.1mm,光缝宽0.3mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
H22B3
H22B3,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,GAP3.18-DIP封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长11.6mm宽6.15mm高10.7mm,槽宽3.0mm,光缝宽1.0mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPI-441C1
RPI-441C1,凹槽型开关,由ROHM原厂生产,GAP4-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长8.0mm宽4.2mm高5.2mm,槽宽4.0mm,光缝宽0.5mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3281LUA-T
A3281LUA-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
H202
H202,霍尔传感器,由CN原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS496A1
SS496A1,霍尔传感器,由HONEYWELL原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3128-200AA
MPS-3128-200AA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
QCK-5
QCK-5,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH3142
AH3142,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
QCK-3
QCK-3,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS806
OS806,槽型开关,由CN原厂生产,GAP4-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,侧边带固定孔,长18.0mm宽6.0mm高12.0mm,槽宽4mm,光缝宽0.8mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SLR738AV-50K
SLR738AV-50K,红外发射管,SANYO原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TM1001
TM1001,红外数据头,由EVERLIGHT原厂生产,TOP-DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TM3208
TM3208,红外数据头,由EVERLIGHT原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD06E
SPD06E,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP6X6-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片6mmX6mm,平,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRMS6452T
IRMS6452T,红外数据头,由INFINEON原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SLR781A-50K
SLR781A-50K,红外发射管,SANYO原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
QSE773
QSE773,光电二极管,由FAIRCHILD原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH482-1
SFH482-1,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH409
SFH409,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH756V
SFH756V,光纤收发头,由OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4883
SFH4883,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TEMD5000
TEMD5000,硅光电池管,由VISHAY原厂生产,7.5-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片2PIN芯片. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-12HE3
TMPG06-12HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.72V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 17.3 V; 最大反向关态电压: 9.72 V; 最小击穿电压: 10.8 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
15KP58A/TR8
15KP58A/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 94 V; 最大反向关态电压: 58 V; 最小击穿电压: 64.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
ICTE8-E3
ICTE8-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 25 uA; 最大钳位电压: 11.5 V; 最大反向关态电压: 8 V; 最小击穿电压: 9.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP120AE3
5KP120AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5R,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP7.0A-E3
5KP7.0A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 417 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 12 V; 最大反向关态电压: 7 V; 最小击穿电压: 7.78 V; 测试电流: 50 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6291ARL4G
1N6291ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 92 V; 最大反向关态电压: 58.1 V; 最小击穿电压: 64.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
6KA24HE3
6KA24HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 24V 6KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 6000 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 40 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 26.7 V; 测试电流: 100 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP12A-E3
5KP12A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 251 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 19.9 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 13.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS312
TVS312, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 12V 150W,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 21 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 13.8 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP17A-E3
5KP17A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 181 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 27.6 V; 最大反向关态电压: 17 V; 最小击穿电压: 18.9 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-10HE3
TMPG06-10HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.1V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 26.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 15 V; 最大反向关态电压: 8.1 V; 最小击穿电压: 9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP18E3
5KP18E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 155 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 32.2 V; 最大反向关态电压: 18 V; 最小击穿电压: 20 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C3R3CB8NNNC
CL10C3R3CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C220JB8NNND
CL10C220JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C330JIFNNNF
CL31C330JIFNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C3R3BA3GNNC
CL03C3R3BA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C122JB8NNNC
CL10C122JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.2 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C102JBCNNND
CL21C102JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C1R8CB8NNNC
CL10C1R8CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C181JA5NNNC
CL05C181JA5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值180 pF,电压25 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C5R6DB5NNNC
CL05C5R6DB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C5R6CB8NNNC
CL10C5R6CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C330KBANNNC
CL21C330KBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C161JBANNNC
CL21C161JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值160 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562