SN74LVC04ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC02DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HCT08PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC374NSR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 5.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LS245NSR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 5.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C01BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MC14071BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LVC157ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LVC32ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
25640B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HCT04PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT29LV020-12TU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
BAV21W,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=500mW,Io=200mA,Vr=200V,Vf=1.25V,Ir=0.1uA,Trr=50nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C7V5,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=7.5V,Min=7V,Max=7.9V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DW52C6V2LED02,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Nom=6.2V,Min=5.8V,Max=6.6V,Zzt=10欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5245C,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=15V,Min=14.7V,Max=15.3V,Zzt=16欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAT54M,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=150mW,Io=200mA,Vr=30V,Vf=1V,Ir=2uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784C33,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=150mW,Nom=33V,Min=31V,Max=35V,Zzt=80欧姆,Zzk=325欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CESD5V0D7,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Vrwm=5V,Min=6.2V,Max=7.3V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=13V,Ipp=13A,C=95+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAP50-03,贴片PIN二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,If=50mA,Vr=50V,Ir=0.1uA,Rd=5欧姆,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ESDU5V0C2,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Vrwm=5V,Min=6V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=25V,Ipp=3.5A,C=0.8pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DZ23C3V9,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3.9V,Min=3.7V,Max=4.1V,Zzt=95欧姆,Zzk=500欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584B39,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=39V,Min=38.22V,Max=39.78V,Zzt=130欧姆,Zzk=350欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAS40T,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=200mA,Vr=40V,Vf=1V,Ir=0.2uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STD123S,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=1000mA,BVcbo=20V,BVceo=15V,BVebo=6.5V,hfe(Min)=150,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.3V,fr=260+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1309A,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=7V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=460,Vce(sat)=0.3V,fr=80+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3279,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=10V,BVebo=6V,hfe(Min)=140,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.82V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSA614F,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=80V,BVceo=55V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PZTA56,贴片晶体管,三极管,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=4V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.25V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP122,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSC2785,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.3V,fr=300+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC4373,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=800mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S9015,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=200,hfe(Max)=1000,Vce(sat)=0.3V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1271A,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=7000mA,BVcbo=150V,BVceo=100V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=260,Vce(sat)=0.5V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD127,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=8000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CJ201NL,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=300,Vce(sat)=0.25V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM8337,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.4mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7493,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP7718,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=355A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6402,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=65.0mOhms,Qg Typ=8.0nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL1404ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1405Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR812,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=500V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2200.0mOhms,Id=3.6A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3205S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF4905,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=200W,Id@TC 25C=-74A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5250,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.15mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2908,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=80V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=28.0mOhms,Id=39A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST110S08P0V,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST110S14P0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH71/06,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:250 mA; 额定平均通态电流:75 A; 浪涌电流额定值:1940 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.59 V; 重复峰值断态电流:15 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TN815-600B-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:5 A; 浪涌电流额定值:73 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@16A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:15 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-25RIA40,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-48-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:130 mA; 额定平均通态电流:25 A; 浪涌电流额定值:440 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.7@79A V; 重复峰值断态电流:10 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-16TTS08-M3,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:150 mA; 额定平均通态电流:10 A; 浪涌电流额定值:200 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.4@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TN1205H-6T,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:20 mA; 额定平均通态电流:7.6 A; 浪涌电流额定值:126 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@24A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:5 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST1230C16K0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1745 A; 浪涌电流额定值:35100 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.62@4000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FOD8321,2.5A输出电流的门驱动光电耦合器,由Fairchild原厂生产,SO-5L-WB封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST110S12P1V,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP7290F3PS,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:PDIP-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:220 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:5.7 A; 重复峰值正向阻断电压:220 V; 峰值通态电压:5@5A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FOD2741A,误差放大器光耦,由Fairchild原厂生产,MDIP-8L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR830,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1060,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20150,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=0.9V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3050FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2050FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ54048J,继电器,DPDT,16A,48VDC,9.216KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:5.31 mA; 线圈电阻:9.216 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGQ21024J,继电器,DPDT,2A,24VDC,4.8KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:5 mA; 线圈电阻:4.8 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AFTDM24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-78C2-12V-012M,继电器,4PDT,10A,12V,78Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:153.85 mA; 线圈电阻:78 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-1000A2-48V-035M,继电器,DPDT,10A,48V,1KOhm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:48 mA; 线圈电阻:1 KOhm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHTR24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-20C3-6V-007L,继电器,DPDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN210A4HZ,继电器,DPDT,1A,4.5VDC,202.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 线圈电流:22.2 mA; 线圈电阻:202.5 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB112J,继电器,SPDT,40(NO)/30(NC)A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:40(NO)/30(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DSP112RFD,继电器,SPST-NO/SPST-NC,5A,12VDC,480Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:25 mA; 线圈电阻:480 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DK1A1B-5V,继电器,SPST-NO/SPST-NC,8A,5VDC,125Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHRP12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,89.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:134 mA; 线圈电阻:89.5 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A53E,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP0.9-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-3B,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-7,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度!适用气体:一氧化碳.探测范围:10-1000ppm.特征气体:CO 100ppm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXH6400A6U,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,SOP-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
T40-18C,声波传感器,由CN原厂生产,TOP18-DIP封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A71A,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5.0-DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3144EUA,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5420C-030-A-H-S,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A02E,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-5000-100A,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3137-015AA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ME3-NH3,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP20-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NDL5506P,光电二极管,由NEC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CQY37N,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SIIM-012SB,红外发射管,ROHM原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL480E,红外发射管,SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SP-1ML,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4500,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLR135/T10,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH487P,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD438B/S20,光电二极管,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KOI-6006B,红外数据头,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LTDL-TA12A,光纤收发头,由LITEON原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH482,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
5KP5.0CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 543 A; 最大反向漏电流: 2000 uA; 最大钳位电压: 9.2 V; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 6.4 V; 测试电流: 50 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE16A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 66.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 22.5 V; 最大反向关态电压: 13.6 V; 最小击穿电压: 15.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-16AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13.6V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 17.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 22.5 V; 最大反向关态电压: 13.6 V; 最小击穿电压: 15.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP160AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 19.3 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 259 V; 最大反向关态电压: 160 V; 最小击穿电压: 178 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6116A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 37.4 V; 最大反向关态电压: 20.6 V; 最小击穿电压: 25.7 V; 测试电流: 50 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6302AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 154V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 1,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 246 V; 最大反向关态电压: 154 V; 最小击穿电压: 171 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE6.8A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6475, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 135 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 63.5 V; 最大反向关态电压: 40.3 V; 最小击穿电压: 43.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA36HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 29.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 52 V; 最大反向关态电压: 29.1 V; 最小击穿电压: 32.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-20AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 14.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 27.7 V; 最大反向关态电压: 17 V; 最小击穿电压: 19 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE6.8CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 2000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS515SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 15V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case B-(WT),参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 25.2 V; 最大反向关态电压: 15 V; 最小击穿电压: 16.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C100CBANNNL,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C102JHHNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C102JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C330JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C471JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值470 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C9R1BA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值9.1 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C430JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值43 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C220JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C100JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C821JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值820 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C080CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C221JDCNFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压200 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562