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MBR1030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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MBR3030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30200CT
MBR30200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030
MBR1030,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1045
MBR1045,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=45V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10200CT
MBR10200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ADQM16012
ADQM16012,继电器,SPST,60A,12VDC,288Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST; 最大额定电流:60 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:41.7 mA; 线圈电阻:288 Ohm; 触点材质:Silver Nickel; 最大额定AC交流电压:250 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AFP12J
CB1AFP12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARA210A1HJ
ARA210A1HJ,继电器,DPDT,1A,1.5VDC,32Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:1.5 V; 线圈电流:46.9 mA; 线圈电阻:32 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200A09J
AGN200A09J,继电器,DPDT,1A,9VDC,579Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:15.5 mA; 线圈电阻:579 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHM12J
CB1AHM12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR247-600B3-28V
BR247-600B3-28V,继电器,DPDT,10A,28V,600Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:46.67 mA; 线圈电阻:600 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-80C1-12V-010M
BR246-80C1-12V-010M,继电器,DPDT,10A,12V,80Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:150 mA; 线圈电阻:80 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246D-20C1-6V-001M
BR246D-20C1-6V-001M,继电器,DPDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARA200A12J
ARA200A12J,继电器,DPDT,1A,12VDC,1.028KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:11.7 mA; 线圈电阻:1.028 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ76005J
ADJ76005J,继电器,DPST-NC,16A,5VDC,100Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NC; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:100 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGQ26003
AGQ26003,继电器,DPDT,2A,3VDC,90Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:90 Ohm; 触点材质:Silver Palladium/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-80C1-12V-010L
BR246-80C1-12V-010L,继电器,DPDT,10A,12V,80Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:150 mA; 线圈电阻:80 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
SM5420C-100-A-H-T
SM5420C-100-A-H-T,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3283LUA-T
A3283LUA-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-2308-015GC
MPS-2308-015GC,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S73PJ000F
GP1S73PJ000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,带连接器,长20.4mm.宽7.8mm高12.8mm,槽宽5.0mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-6
MQ-6,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度!适用气体:液化气,异丁烷,丙烷.探测范围:300-10000ppm.特征气体:异丁烷1000ppm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3128-500AA
MPS-3128-500AA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AN503
AN503,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH3075
AH3075,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MIS-3300-001SD
MIS-3300-001SD,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5470-003-D-B
SM5470-003-D-B,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A22LC
GP1A22LC,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5.0-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP3S120
GP3S120,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAPDIP3封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NDL5422P
NDL5422P,光电二极管,由NEC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HP-3ML
HP-3ML,硅光电池管,由KODENSHI原厂生产,TOP7.6-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,圆形直径7.6mm,直插2PIN,波长700-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HS0038B.
HS0038B.,红外接收头,VISHAY原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:质量稳定,抗干扰性好,小体积直插3脚,频率38KHZ. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLT137
PLT137,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SP10C
SP10C,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP3X3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片3mmX3mm,圆头,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL450
GL450,红外发射管,SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2DU1510
2DU1510,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP15X10(DIP2)封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插3PIN芯片6mmX6mm,方平波长250-560nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OPU43K
OPU43K,硅光电池管,由KODENSHI原厂生产,TOP8.1-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,圆形直径8.1mm,直插2PIN,波长700-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PH320
PH320,光电二极管,由NEC原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRMS6118C
IRMS6118C,红外数据头,由INFINEON原厂生产,8P 9.8X4.8X4.0封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4646
SFH4646,红外发射管,OSRAM原厂生产,SIDE-SMD封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SP68C
SP68C,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP6X8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,金属圆形透明直插芯片6mmX8mm,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
5KP22CE3
5KP22CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 127 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 39.4 V; 最大反向关态电压: 22 V; 最小击穿电压: 24.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA6.8HE3
1.5KA6.8HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 139 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.8 V; 最大反向关态电压: 5.5 V; 最小击穿电压: 6.12 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6167A
1N6167A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 86.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 151.3 V; 最大反向关态电压: 86.6 V; 最小击穿电压: 104.5 V; 测试电流: 12 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6275AG
1N6275AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 21.2 V; 最大反向关态电压: 12.8 V; 最小击穿电压: 14.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA5.0ARLG
SA5.0ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 54.3 A; 最大反向漏电流: 600 uA; 最大钳位电压: 9.2 V; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 6.4 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE15AG
1.5KE15AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 21.2 V; 最大反向关态电压: 12.8 V; 最小击穿电压: 14.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE75AHE3
1.5KE75AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 104 V; 最大反向关态电压: 64.1 V; 最小击穿电压: 71.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-27HE3
TMPG06-27HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 21.8V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 39.1 V; 最大反向关态电压: 21.8 V; 最小击穿电压: 24.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP100CE3
5KP100CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 179 V; 最大反向关态电压: 100 V; 最小击穿电压: 111 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6104
1N6104, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.3 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 12.1 V; 最大反向关态电压: 6.2 V; 最小击穿电压: 7.79 V; 测试电流: 150 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE110CA-E3
1.5KE110CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 94V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 152 V; 最大反向关态电压: 94 V; 最小击穿电压: 105 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
704-15K36H3
704-15K36H3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 31.5V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 8,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 300 A; 最大反向漏电流: 100 uA; 最大钳位电压: 51 V; 最大反向关态电压: 31.5 V; 最小击穿电压: 36 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C3R3CA3GNNH
CL03C3R3CA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C101JDCNNND
CL21C101JDCNNND,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值100 pF,电压200 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C9R5BO2GNNC
CL02C9R5BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值9.5 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C100DB5NNND
CL05C100DB5NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C220JB8NFNC
CL10C220JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C300JB8NNND
CL10C300JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值30 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C560JBANNNC
CL21C560JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值56 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C2R2CBCNNNC
CL31C2R2CBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C470JA3NNNC
CL03C470JA3NNNC,超小尺寸C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度±5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C5R6BB5NNNC
CL05C5R6BB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C4R3CA3GNNC
CL03C4R3CA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.3 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
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CL21C101JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值100 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562