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IRL3705Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

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IRF9389,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=40.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=103.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=27.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=64.0mOhms,Qg Typ N-ch=6.8nC,Qg Typ P-ch=8.1nC,Qgd Typ N-ch=0.98nC,Qgd Typ P-ch=2.1nC,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

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VS-30TPS08PBF

VS-30TPS08PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-247AC-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:100 mA; 额定平均通态电流:20 A; 浪涌电流额定值:300 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.3@20A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:45 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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TISP61089SDR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:11 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-40 to 85 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

TN1205T-600B

TN1205T-600B,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:15 mA; 额定平均通态电流:8 A; 浪涌电流额定值:120 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@24A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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VS-ST083S12PFK1P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:85 A; 浪涌电流额定值:2560 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:2.15@300A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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VS-ST330C16C0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:720 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.96@1810A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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TISP5070H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:58 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:58 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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VS-ST1230C14K0P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1745 A; 浪涌电流额定值:35100 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 峰值通态电压:1.62@4000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562

TISP4350T3BJR-S

TISP4350T3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:30 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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TISP5190H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:160 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:160 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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TISP7380F3PS,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:PDIP-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:270 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:5.7 A; 重复峰值正向阻断电压:270 V; 峰值通态电压:5@5A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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VS-ST180S12P0VPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:200 A; 浪涌电流额定值:5230 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.75@570A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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VS-ST180C20C0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:2000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:350 A; 浪涌电流额定值:5230 A; 重复峰值正向阻断电压:2000 V; 峰值通态电压:1.96@750A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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MBRB20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR3060CT

MBR3060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR3035FCT

MBR3035FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR2050CT

MBR2050CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR30150FCT

MBR30150FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MBRD10200CT

MBRD10200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR1070FCT

MBR1070FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=70V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR3040FCT

MBR3040FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

CB1T12J

CB1T12J,继电器,SPDT,40(NO)/30(NC)A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:40(NO)/30(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ADJ16048J

ADJ16048J,继电器,SPDT,16A,48VDC,9.216KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:5.2 mA; 线圈电阻:9.216 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

BR246-80B2-12V-014M

BR246-80B2-12V-014M,继电器,DPDT,10A,12V,80Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:150 mA; 线圈电阻:80 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

BR246-20A2-6V-006M

BR246-20A2-6V-006M,继电器,DPDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

DS1E-S-DC5V

DS1E-S-DC5V,继电器,SPDT,2A,5VDC,125Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ASX21009J

ASX21009J,继电器,DPDT,0.01A,9VDC,2.314KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:3.9 mA; 线圈电阻:2.314 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ADJ24006J

ADJ24006J,继电器,SPST-NO,16A,6VDC,144Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:41.6 mA; 线圈电阻:144 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ARJ20A12XJ

ARJ20A12XJ,继电器,DPDT,0.3A,12VDC,720Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.3 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.6 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-30 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ALE1PB18

ALE1PB18,继电器,SPST-NO,16A,18VDC,810Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:18 V; 线圈电流:22.2 mA; 线圈电阻:810 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:277 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ASX21003J

ASX21003J,继电器,DPDT,0.01A,3VDC,257Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:11.7 mA; 线圈电阻:257 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ALZ51B12W

ALZ51B12W,继电器,SPST-NO,16A,12VDC,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

CB1DP24J

CB1DP24J,继电器,SPDT,20(NO)/10(NC)A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:20(NO)/10(NC) A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

SM5611

SM5611,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ATS617LSGTN-T

ATS617LSGTN-T,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

UGN3503

UGN3503,霍尔传感器,由CN原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SS511AT

SS511AT,霍尔传感器,由HONEYWELL原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

GP3A303HC

GP3A303HC,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP16-DIP封装,参数描述:高灵敏度,带连接器,槽宽16.0mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

OS805

OS805,槽型开关,由CN原厂生产,GAP3-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,侧边带固定孔,长19.0mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽3mm,光缝宽0.8mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

T25-12A

T25-12A,声波传感器,由CN原厂生产,TOP12-DIP封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

GP1S10J0000F

GP1S10J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

A1305

A1305,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MPX5010GP

MPX5010GP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

QVA11134

QVA11134,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,GAP3.18-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

AH3051

AH3051,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SFH480

SFH480,红外发射管,OSRAM原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TMC-1C55-648

TMC-1C55-648,光电二极管,由TrueLight原厂生产,TOP-DIP5封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

HS0038A2

HS0038A2,红外接收头,VISHAY原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:质量稳定,抗干扰性好,大体积直插3脚,频率38KHZ. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

PLT133/T1

PLT133/T1,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

GP1F33RT

GP1F33RT,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

S8729-04

S8729-04,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PINN波长760nm-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SFH460

SFH460,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

NJL6144A

NJL6144A,硅光电池管,由JRC原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

CIM-51M7

CIM-51M7,红外数据头,由CITIZEN原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SFH229FA

SFH229FA,光电二极管,由ORSAM原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

GL550

GL550,红外发射管,SHARP原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

GL350A

GL350A,红外发射管,SHARP原厂生产,TOP-3-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

5KP110AE3

5KP110AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 177 V; 最大反向关态电压: 110 V; 最小击穿电压: 122 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

1.5KE62A-E3

1.5KE62A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 85 V; 最大反向关态电压: 53 V; 最小击穿电压: 58.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

1N6270A-E3

1N6270A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电流: 50 uA; 最大钳位电压: 13.4 V; 最大反向关态电压: 7.78 V; 最小击穿电压: 8.65 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

1.5KE6.8AHE3

1.5KE6.8AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

1N6471

1N6471, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 374 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 22.6 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 13.6 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

1.5KE22AHE3

1.5KE22AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 30.6 V; 最大反向关态电压: 18.8 V; 最小击穿电压: 20.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

5KP160AE3

5KP160AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5R,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

1N6167A

1N6167A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 86.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 151.3 V; 最大反向关态电压: 86.6 V; 最小击穿电压: 104.5 V; 测试电流: 12 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

JANTX1N6155A

JANTX1N6155A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 27.4V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 49.9 V; 最大反向关态电压: 27.4 V; 最小击穿电压: 34.2 V; 测试电流: 30 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

ICTE12HE3

ICTE12HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 16.5 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 14.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

1N6280A-E3

1N6280A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 33.2 V; 最大反向关态电压: 20.5 V; 最小击穿电压: 22.8 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

1N6142

1N6142, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 98.7 A; 最大反向漏电流: 100 uA; 最大钳位电压: 15.2 V; 最大反向关态电压: 7.6 V; 最小击穿电压: 9 V; 测试电流: 125 mA; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562