SN74LV165ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT89S51-24PU单片机,低功耗高性能的CMOS 8位微控制器由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC04PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV06ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
25640B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MC14016BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATMEGA16A-AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
89C51RC2-RLTIM单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用TQFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC244D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74LVC245AD低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-20 7.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC27D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC32D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
BAP64-06,贴片PIN二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=250mW,If=100mA,Vr=175V,Ir=10uA,Rd=1.35欧姆,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784C27,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=150mW,Nom=27V,Min=25.1V,Max=28.9V,Zzt=80欧姆,Zzk=300欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C20,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=20V,Min=18.8V,Max=21.2V,Zzt=55欧姆,Zzk=225欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B9V1S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=9.1V,Min=8.92V,Max=9.28V,Zzt=15欧姆,Zzk=100欧姆,Ir=0.5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAS70-05T,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=70mA,Vr=70V,Vf=1V,Ir=0.1uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1SS388,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vr=40V,Vf=0.6V,Ir=5uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C3V3W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=3.3V,Min=3.1V,Max=3.5V,Zzt=95欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B7V5,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=7.5V,Min=7.35V,Max=7.65V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C8V2,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=8.2V,Min=7.7V,Max=8.7V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=0.7uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C4V3,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=4.3V,Min=4V,Max=4.6V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C18W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=18V,Min=16.8V,Max=19.1V,Zzt=45欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRX0540,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=250mW,Io=500mA,Vr=40V,Vf=0.55V,Ir=80uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD2061,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=8+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC5200,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3500mW,Ic=15000mA,BVcbo=230V,BVceo=230V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=3V,fr=30MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB647,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC4116,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=100mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTC4077,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=100mW,Ic=100mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=200,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.3V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
8050S,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC817,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=500mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.7V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA836,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=55V,BVceo=55V,BVebo=5V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=500,Vce(sat)=0.5V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD2470,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=5000mA,BVcbo=15V,BVceo=10V,BVebo=8V,hfe(Min)=270,hfe(Max)=820,Vce(sat)=0.5V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA608N,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.3V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSC2330,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=100mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=7V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=50+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBT3904T,贴片晶体管,三极管,SOT-523封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR6215,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=580.0mOhms,Qg Typ=44.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=13A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLP3034,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=327A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6674,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=67A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9540NL,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=140W,Id@TC 25C=-23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP150M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=36.0mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5025,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=250V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=32A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1405ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4510,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7831,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3710S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4468,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=290A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLS3813,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.95mOhms,Id=247A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOCD213M,双通道光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TN1515-600B-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:9.5 A; 浪涌电流额定值:165 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@30A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:15 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST1000C12K1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1473 A; 浪涌电流额定值:21200 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.8@3000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FOD0720,高CMR,25Mbit/秒逻辑门光电耦合器,由Fairchild原厂生产,SO-8L_NB封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST180S16P1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:200 A; 浪涌电流额定值:5230 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.75@570A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST300C08L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:560 A; 浪涌电流额定值:8380 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:2.18@1635A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST280C06C0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:500 A; 浪涌电流额定值:8220 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.36@1050A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP7015DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:8 V; 最大保持电流:30(Min) mA; 浪涌电流额定值:4 A; 重复峰值正向阻断电压:8 V; 峰值通态电压:4@5A V; 重复峰值断态电流:0.004 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH105/12,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:250 mA; 额定平均通态电流:105 A; 浪涌电流额定值:2094 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.8 V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 130 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST733C04LFM1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:940 A; 浪涌电流额定值:20950 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.63@1700A V; 重复峰值断态电流:75 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST180S12P0V,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:200 A; 浪涌电流额定值:5230 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.75@570A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST330C14L1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:650 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 峰值通态电压:1.9@1730A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR1060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20100FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2545FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=25A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1080FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB10100CT-B,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.85V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BR247-600A2-28V,继电器,DPDT,10A,28V,600Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:46.67 mA; 线圈电阻:600 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-20A2-6V-006M,继电器,DPDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DK1A-9V-F,继电器,SPST-NO,10A,9VDC,405Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:22.2 mA; 线圈电阻:405 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN211Y0J,继电器,DPDT,5A,200/220VAC,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; AC交流线圈电压:200|220 V; 线圈电流:4.5|5.3 mA; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN222X1J,继电器,DPDT,5A,110VDC,22.83KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:110 V; 线圈电流:4.8 mA; 线圈电阻:22.83 KOhm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290B2-28V-038L,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN110X0J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,100/110VAC,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; AC交流线圈电压:100|110 V; 线圈电流:9|10.6 mA; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DE1A-L2-5V,继电器,SPST-NO,10A,5VDC,125Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 最大额定DC直流电压:230 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ22012J,继电器,SPST-NO,16A,12VDC,960Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:12.5 mA; 线圈电阻:960 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290C3-28V-039M,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-20A2-6V-006L,继电器,4PDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DSP1-DC3V-F,继电器,SPST-NO/SPST-NC,5A,3VDC,30Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:100 mA; 线圈电阻:30 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S95J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP1.6-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长3.6mm宽3.4mm高4.7mm,槽宽1.6mm,光缝宽0.3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3283LLHLT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-23W封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3307-001DA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MIS-3300-015SD,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD100A,力敏传感器,由SAMARTEC原厂生产,SO-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STI-100,力敏传感器,由JP原厂生产,DIP封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ITR-0529,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,GAP8-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,槽宽8.0mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S58VJ000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5.0-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NPP-301B-700A,力敏传感器,由GE原厂生产,SO-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPX2050GSX,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OH3144S,霍尔传感器,由SDK原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EW732,霍尔传感器,由AKE原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CIM-51S7RV4,红外数据头,由CITIZEN原厂生产,BABYFACE封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSMF1020,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP1.8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPS706,光电二极管,由TOSHIBA原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LNA2702L,红外发射管,PANASONIC原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LTE-306,红外发射管,LITEON原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-6FFR2,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CHX2010,红外数据头,由ZILOG原厂生产,9.8X4.84封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
G1961,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,TOP4.7-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN波长190-550nm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH204FA,光电二极管,由ORSAM原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LTR-536,光电二极管,由LITEON原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EL-1K3,红外发射管,KODENSHI原厂生产,TOP-4-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH2505,光电二极管,由OSRAM原厂生产,TOP5-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
5KP20A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 154 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 32.4 V; 最大反向关态电压: 20 V; 最小击穿电压: 22.2 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP11AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 275 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 18.2 V; 最大反向关态电压: 11 V; 最小击穿电压: 12.2 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6282ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 41.4 V; 最大反向关态电压: 25.6 V; 最小击穿电压: 28.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE12CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 89.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 16.7 V; 最大反向关态电压: 10.2 V; 最小击穿电压: 11.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
15KP58A/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 94 V; 最大反向关态电压: 58 V; 最小击穿电压: 64.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
P6KE6.8AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6386HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 25.5 V; 最大反向关态电压: 18 V; 最小击穿电压: 21.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6377HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 60 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 20.6 V; 最大反向关态电压: 15 V; 最小击穿电压: 17.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6292ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 103 V; 最大反向关态电压: 64.1 V; 最小击穿电压: 71.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP58CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 103 V; 最大反向关态电压: 58 V; 最小击穿电压: 64.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-7.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.4V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 26.5 A; 最大反向漏电流: 150 uA; 最大钳位电压: 11.3 V; 最大反向关态电压: 6.4 V; 最小击穿电压: 7.13 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6127A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 56V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 103.1 V; 最大反向关态电压: 56 V; 最小击穿电压: 71.3 V; 测试电流: 20 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C181JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值180 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C3R3CB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C9R5BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值9.5 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C0R2BB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值0.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C151JHFNFNE,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C220GB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C151JHFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C330JJHNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压2000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C300JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值30 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C330KB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C820JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值82 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C221JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562