MC14073BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC4060DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
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24C01BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATXMEGA64A3-AU单片机,AVR嵌入式微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
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ATMEGA169P-16AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MMBZ5228B,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3.9V,Min=3.71V,Max=4.1V,Zzt=23欧姆,Zzk=1900欧姆,Ir=10uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5236C,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=7.5V,Min=7.35V,Max=7.65V,Zzt=6欧姆,Zzk=500欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C27,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=27V,Min=25.1V,Max=28.9V,Zzt=80欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DW52C2V4LED02,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Nom=2.4V,Min=2.2V,Max=2.6V,Zzt=100欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=50uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C6V8,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=6.8V,Min=6.4V,Max=7.2V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=2uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C27W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=27V,Min=25.1V,Max=28.9V,Zzt=80欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ESDU5V0H4,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOT-23-6L封装,参数为:Vrwm=5V,Min=6.5V,Max=8.8V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=25V,Ipp=5A,C=0.8pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAS70DW-06,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-363封装,参数为:Pd=200mW,Io=70mA,Vr=70V,Vf=1V,Ir=0.1uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C3V3,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3.3V,Min=3.1V,Max=3.5V,Zzt=95欧姆,Zzk=500欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C36S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=36V,Min=34V,Max=38V,Zzt=90欧姆,Zzk=350欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5246C,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=16V,Min=15.68V,Max=16.32V,Zzt=17欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C3V9,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3.9V,Min=3.7V,Max=4.1V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1318,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.3V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB985,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.7V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA115EUA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=82,Vo(on)=0.3V,R1=100K欧姆,R2=100K欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1760,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1664,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2383,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=20MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA143EE,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=30,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CJ303NL,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=3000mA,BVcbo=50V,BVceo=35V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.15V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FMMT591,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=1000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1201,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=800mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1185,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=70+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF421,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=100mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=60MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB42N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=55.0mOhms,Id=42.6A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP150M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=36.0mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ48V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=72A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=65.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLH7134,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=134A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6344,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL3713S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1310N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=36.0mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6628,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR48Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=75.0mOhms,Id=16A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2907ZS-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST330S08P0PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-118-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:330 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.52@1000A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH136/16PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:135 A; 浪涌电流额定值:3360 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.57 V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP4350J1BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:20(Min) mA; 浪涌电流额定值:100 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-2N689,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-48-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:500 V; 最大保持电流:20 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:180 A; 重复峰值正向阻断电压:500 V; 峰值通态电压:2@16A V; 重复峰值断态电流:3 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:40 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH105/12,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:250 mA; 额定平均通态电流:105 A; 浪涌电流额定值:2094 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.8 V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 130 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST333C08CFM1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:720 A; 浪涌电流额定值:11500 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.96@1810A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-22RIA120,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-48-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:130 mA; 额定平均通态电流:22 A; 浪涌电流额定值:420 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.7@70A V; 重复峰值断态电流:10 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TZ430N22KOFHQSA1,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:4-Pin BG-PB501-1,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:2200 V; 最大保持电流:300 mA; 额定平均通态电流:669@Tc=51C A; 浪涌电流额定值:14000 A; 重复峰值正向阻断电压:2200 V; 峰值通态电压:1.78@1500A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:2.2 V; 最大门极触发电流:250 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FOD8383,2.5A输出电流,高速MOSFET/IGBT栅极驱动光电耦合器,由Fairchild原厂生产,SO-5L-WB封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST303C04CFN1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:620 A; 浪涌电流额定值:8320 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:2.16@1255A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST1230C12K1P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1745 A; 浪涌电流额定值:35100 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.62@4000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST330C14C1L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:720 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 峰值通态电压:1.96@1810A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR3030CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD10200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR4045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=40A,Vr=45V,Vf=0.6V,Ir=1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2035FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB10100CT-B,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.85V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR830,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20150,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=0.9V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30100PT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-3P封装,参数为:Pd=3.5W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.85V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2035CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ARE10A24ZJ,继电器,SPDT,0.5A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.3 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ22048J,继电器,SPST-NO,16A,48VDC,15.36KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:3.125 mA; 线圈电阻:15.36 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ56048J,继电器,DPDT,16A,48VDC,9.216KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:5.2 mA; 线圈电阻:9.216 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AFTD24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DK2A-12V,继电器,DPST-NO,8A,12VDC,720Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.6 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1FDP12J,继电器,SPDT,40(NO)/30(NC)A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:40(NO)/30(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
EE2-24SNUH-L,继电器,DPDT,2A,24VDC,3.84KOhm,品牌:KEMET,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:6.25 mA; 线圈电阻:3.84 KOhm; 触点材质:Silver/ Gold; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 端子类型:Gull Wing; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200A4HZ,继电器,DPDT,1A,4.5VDC,145Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 线圈电流:31 mA; 线圈电阻:145 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADQ23Q006J,继电器,SPST-NO,30A,6VDC,36Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:30 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:166.7 mA; 线圈电阻:36 Ohm; 触点材质:Silver; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR247-600B3-28V,继电器,DPDT,10A,28V,600Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:46.67 mA; 线圈电阻:600 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ11B12,继电器,SPDT,16A,12VDC,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGQ21003J,继电器,DPDT,2A,3VDC,90Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:90 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
4HSLM,气敏传感器,由CITY原厂生产,TOP20-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3210LH,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-23封装,参数描述:类型:微功耗超灵敏,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EW432,霍尔传感器,由AKE原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
H23A,槽型开关,由CN原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,无固定孔,长14mm宽6.0mm高11.4mm,槽宽6mm,光缝宽0.8mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OH40AF,霍尔传感器,由SDK原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS70T2,槽型开关,由CN原厂生产,GAP6-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,带固定孔,长24.5mm宽6.0mm高12.0mm,槽宽3mm,光缝宽0.8mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-3B,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS513AT,霍尔传感器,由HONEYWELL原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-2108-030G,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3117-006GC,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OH3144SH,霍尔传感器,由SDK原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S21,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP1.5-DIP5封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长4.2mm宽4.2mm高5.2mm,槽宽1.2mm,光缝宽0.8mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD3850C,光电二极管,由EVERLIGHT原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPM841H16,红外数据头,由ROHM原厂生产,6.8X1.5X封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CQY37N,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD95-21B,光电二极管,由EVERLIGHT原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,贴片2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSTA7100,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BP104F,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片2.2mmX2.2mm,黑色/波长800-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH2430,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,2.73X2.73-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片2PIN芯片2.65mmX2.65mm,紫面400-900nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZYIR88FC,红外发射管,CN原厂生产,TOP-4-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IS1U20,红外数据头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PIN8761,硅光电池管,由PANASONIC原厂生产,SIDE-DIP5封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插5PIN. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLOH9203,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP-SMD6封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL450,红外发射管,SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N6294ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 77.8V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 125 V; 最大反向关态电压: 77.8 V; 最小击穿电压: 86.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
ICTE8C-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 50 uA; 最大钳位电压: 11.6 V; 最大反向关态电压: 8 V; 最小击穿电压: 9.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP30CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 48.4 V; 最大反向关态电压: 30 V; 最小击穿电压: 33.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE180C-HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 146V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 258 V; 最大反向关态电压: 146 V; 最小击穿电压: 162 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6106, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 14.5 V; 最大反向关态电压: 7.6 V; 最小击穿电压: 9.5 V; 测试电流: 125 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6167A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 86.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 151.3 V; 最大反向关态电压: 86.6 V; 最小击穿电压: 104.5 V; 测试电流: 12 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS318SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 18V 150W,品牌:Microsemi,封装:2A-MELF,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 31 V; 最大反向关态电压: 18 V; 最小击穿电压: 20.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE150CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 128V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 207 V; 最大反向关态电压: 128 V; 最小击穿电压: 143 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP160A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 19.3 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 259 V; 最大反向关态电压: 160 V; 最小击穿电压: 178 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6166A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 76V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 137.6 V; 最大反向关态电压: 76 V; 最小击穿电压: 95 V; 测试电流: 12 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6288A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 70.1 V; 最大反向关态电压: 43.6 V; 最小击穿电压: 48.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6291ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 92 V; 最大反向关态电压: 58.1 V; 最小击穿电压: 64.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C3R6BB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C621JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值620 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C331JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C140JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值14 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C102JA8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压25 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21B472KBANNND,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C4R3BA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.3 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C121KB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值120 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C271JIHNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值270 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C2R2BB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C151JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C150GO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值15 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度±2 %.咨询购买请致电:0755-83897562