74HCT164D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV14APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74AHC04PWR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C08A-10TU2.7存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C08A-10TU2.7存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用TSSOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C512B-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC393PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATMEGA8-16AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
89LS52-16AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HCT74DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT29C040A-90TU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT25160AN-10SU27存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MMBZ5247C,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=17V,Min=16.66V,Max=17.34V,Zzt=19欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B6V2,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=6.2V,Min=6.08V,Max=6.32V,Zzt=10欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CESDBLC5V0D9,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOD-923封装,参数为:Vrwm=5V,Min=5.8V,Max=7.8V,Ir=0.1uA,It=1mA,Vc=10V,Ipp=5A,C=12+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAT54SDW,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-363封装,参数为:Pd=200mW,Io=200mA,Vr=30V,Vf=1V,Ir=2uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DW52C10LED02,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Nom=10V,Min=9.4V,Max=10.6V,Zzt=20欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=0.2uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784B36,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=36V,Min=35.28V,Max=36.72V,Zzt=90欧姆,Zzk=350欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DZ23C11,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=11V,Min=10.4V,Max=11.6V,Zzt=20欧姆,Zzk=70欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C6V8T,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=6.8V,Min=6.4V,Max=7.2V,Zzt=15欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=2uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MA729,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=200mA,Vr=30V,Vf=0.55V,Ir=50uA,Trr=3nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B2V7,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=2.7V,Min=2.65V,Max=2.75V,Zzt=100欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=20uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAT54V,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-563封装,参数为:Pd=150mW,Io=200mA,Vr=30V,Vf=1V,Ir=2uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584C39,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=39V,Min=37V,Max=41V,Zzt=130欧姆,Zzk=350欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTC3199,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC309,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.6V,fr=130+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTC3228,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.5V,fr=20MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD237,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB649,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD2137A,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=6V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.2V,fr=30MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD669A,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2235,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=800mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSA931,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=700mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=8V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.2V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA113ZKA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23-3L封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=1K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
3CA1837,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=1000mA,BVcbo=230V,BVceo=230V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.5V,fr=30MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1203,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ34NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=29A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLZ24N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7809AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR7740,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-PAK封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.2mOhms,Id=87A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3709Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6655,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SH封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=62.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3207,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ48NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.0mOhms,Id=64A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6346,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7404PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=40.0mOhms,Qg Typ=32.7nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9540N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=140W,Id@TC 25C=-23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC8204M,高压光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,DIP-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-T70RIA100,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D-55-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:70 A; 浪涌电流额定值:1740 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:1.55 V; 重复峰值断态电流:0.1 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:120 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST330S04P1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-118-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:330 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.52@1000A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST083S04PFN1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:85 A; 浪涌电流额定值:2560 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:2.15@300A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST1230C14K1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1745 A; 浪涌电流额定值:35100 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 峰值通态电压:1.62@4000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FOD4118,800V过零可控硅驱动器输出光电耦合器,由Fairchild原厂生产,MDIP-6L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-40TTS12PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-247AC-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:100 mA; 额定平均通态电流:35 A; 浪涌电流额定值:600 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.85@110A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST103S08PFL1P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:105 A; 浪涌电流额定值:3150 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.73@300A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-180RKI40,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:180 A; 浪涌电流额定值:4000 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.35@570A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST280CH04C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:500 A; 浪涌电流额定值:7500 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.35@1000A V; 重复峰值断态电流:75 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP4300M3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:230 V; 最大保持电流:350 mA; 浪涌电流额定值:32 A; 重复峰值正向阻断电压:230 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST700C12L0L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:910 A; 浪涌电流额定值:16400 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.8@2000A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR2060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD6100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=6A,Vr=100V,Vf=0.74V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2035FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2050FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD10200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1040FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2035CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30100FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ23105J,继电器,SPST-NO,16A,5VDC,100Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:100 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARE13A4HZJ,继电器,SPDT,0.5A,4.5VDC,101Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 线圈电流:44.4 mA; 线圈电阻:101 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARJ20A12,继电器,DPDT,0.3A,12VDC,720Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.3 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.6 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-30 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARJ2203J,继电器,DPDT,0.3A,3VDC,60Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.3 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:60 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-30 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246D-320B2-28V-023M,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADY30003J,继电器,SPST-NO/SPST-NC,8A,3VDC,45Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:66.6 mA; 线圈电阻:45 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:380 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ASX200A09J,继电器,DPDT,0.01A,9VDC,1.62KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:5.6 mA; 线圈电阻:1.62 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHM12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290C3-28V-023L,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ12048J,继电器,SPDT,16A,48VDC,15.36KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电阻:15.36 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN210A1HJ,继电器,DPDT,1A,1.5VDC,22.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:1.5 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:22.5 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-78A2-12V-014M,继电器,4PDT,10A,12V,78Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:153.85 mA; 线圈电阻:78 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
SS441A,霍尔传感器,由HOENYWELL原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPH-1022,凹槽型开关,由BROTHER原厂生产,GAP14-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,带连接器,槽宽14.0mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-8B,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3144,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP3A200LCS,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP21-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,带连接器,槽宽21.0mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NPP-301A-100A,力敏传感器,由GE原厂生产,SO-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3290KUA-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5108-150-AX,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPX4115AP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPI-1391,凹槽型开关,由ROHM原厂生产,GAP5-DIP5封装,参数描述:高精度施密特输出,长14.6mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽4.0mm,光缝宽0.5mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3144EU,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S22J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP1.2-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长4.2mm宽4.2mm高5.2mm,槽宽1.2mm,光缝宽0.3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4350,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PNZ327,光电二极管,由PANASONIC原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN107A,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSML1040,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP1.8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1FA553TZ,光纤收发头,由SHARP原厂生产,DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH206,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,1.75X3.15-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片4mmX4mm,黑色/波长400-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EL-303,红外发射管,KODENSHI原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-146A64S,硅光电池管,由KODENSHI原厂生产,TOP6-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,圆形直径6mm,直插2PIN,波长450-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1F565R,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1FA350TZ,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLT133/T,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH2400-Z,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,1X1-SMD3封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片3PIN芯片1mmX1mm,透明/波长400-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
5KP85AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 36.5 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 137 V; 最大反向关态电压: 85 V; 最小击穿电压: 94.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE56A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 77 V; 最大反向关态电压: 47.8 V; 最小击穿电压: 53.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP13A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 233 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 21.5 V; 最大反向关态电压: 13 V; 最小击穿电压: 14.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA33ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 53.3 V; 最大反向关态电压: 33 V; 最小击穿电压: 36.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP160AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 19.3 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 259 V; 最大反向关态电压: 160 V; 最小击穿电压: 178 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP7.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 417 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 12 V; 最大反向关态电压: 7 V; 最小击穿电压: 7.78 V; 测试电流: 50 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6461, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 315 A; 最大反向漏电流: 3000 uA; 最大钳位电压: 9 V; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 5.6 V; 测试电流: 25 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-22AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 13.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 30.6 V; 最大反向关态电压: 18.8 V; 最小击穿电压: 20.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CD0603-T24C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V,品牌:Bourns,封装:2Case 0603,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 1 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 47 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 25 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -40 to 125 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP14AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 215 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 23.2 V; 最大反向关态电压: 14 V; 最小击穿电压: 15.6 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA7.5HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.05V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 128 A; 最大反向漏电流: 500 uA; 最大钳位电压: 11.7 V; 最大反向关态电压: 6.05 V; 最小击穿电压: 6.75 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP13CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 210 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 23.8 V; 最大反向关态电压: 13 V; 最小击穿电压: 14.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C361JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值360 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C3R9BA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.9 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C221JB8NNWC,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C100JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C2R2CBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C330JB8NNWC,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C330JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C102JHMLNNE,低调C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.15 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C2R2BBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C390JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值39 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C140JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值14 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C180GBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562