AT45DB321D-TU单片机,32M闪存存储器由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74LVC32AD低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT24C128C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT89S8253-24PU单片机,低功耗高性能的CMOS 8位微控制器由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
CD4066BPWR CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LVC1G04DCKR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SOT353封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C64D-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C08B-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用TSSOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74AHCT16244DGGR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-48封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
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74HC1G08GW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SOT353封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
BZT52C7V5S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=7.5V,Min=7V,Max=7..9V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784B6V2,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=6.2V,Min=6.08V,Max=6.32V,Zzt=10欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5230BW,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=4.7V,Min=4.47V,Max=4.94V,Zzt=19欧姆,Zzk=1900欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C5V6S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=5.6V,Min=5.2V,Max=6V,Zzt=40欧姆,Zzk=400欧姆,Ir=1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5232BW,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=5.6V,Min=5.32V,Max=5.88V,Zzt=11欧姆,Zzk=1600欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAV70DW,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-363封装,参数为:Pd=200mW,Io=150mA,Vr=75V,Vf=1.25V,Ir=2.5uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ESD12VK4,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOT-23-6L封装,参数为:Vrwm=12V,Min=13.3V,Max=16.5V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=24V,Ipp=9A,C=45+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C22,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=22V,Min=20.8V,Max=23.3V,Zzt=55欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C3V6W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=3.6V,Min=3.4V,Max=3.8V,Zzt=95欧姆,Zzk=500欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SD103ATW,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-363封装,参数为:Pd=200mW,Io=175mA,Vr=40V,Vf=0.5V,Ir=5uA,Trr=10+nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C30,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=30V,Min=28V,Max=32V,Zzt=80欧姆,Zzk=300欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C4V3S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=4.3V,Min=4V,Max=4.6V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA933AS,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2714,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=100mW,Ic=20mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,fr=550+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1073,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=4000mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=7V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=315,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB649A,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA114YE,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4400,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=150,Vce(sat)=0.75V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTD1351,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=300,Vce(sat)=1V,fr=3+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCV47,贴片达林顿晶体管,由NXP原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=10V,hfe(Min)=10000,Vce(sat)=1V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2389S,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=50mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=180,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1182,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=2000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A94,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=300mA,BVcbo=400V,BVceo=400V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCW68,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=330mW,Ic=800mA,BVcbo=60V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=630,Vce(sat)=0.7V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB23N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,Id=23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7402,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7437,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=250A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7545,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.2mOhms,Id=85A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9358,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=23.8mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9362,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=32mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8743,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3114Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLS3036,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP044N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,Id=49A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7413,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST103S08PFN1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:105 A; 浪涌电流额定值:3150 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.73@300A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST303S08PFL1P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-118-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:300 A; 浪涌电流额定值:8320 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:2.16@1255A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST380CH06C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:960 A; 浪涌电流额定值:13000 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.58@2900A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP4C180H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:145 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:30 A; 重复峰值正向阻断电压:145 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST110S04P0VPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-40TPS16-M3,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-247AC-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:35 A; 浪涌电流额定值:500 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.85@110A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TZ430N22KOFHQSA1,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:4-Pin BG-PB501-1,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:2200 V; 最大保持电流:300 mA; 额定平均通态电流:669@Tc=51C A; 浪涌电流额定值:14000 A; 重复峰值正向阻断电压:2200 V; 峰值通态电压:1.78@1500A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:2.2 V; 最大门极触发电流:250 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH91/04,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:250 mA; 额定平均通态电流:95 A; 浪涌电流额定值:2094 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.73 V; 重复峰值断态电流:15 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST700C20L0L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:2000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:910 A; 浪涌电流额定值:16400 A; 重复峰值正向阻断电压:2000 V; 峰值通态电压:1.8@2000A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TYN812RG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:30 mA; 额定平均通态电流:8 A; 浪涌电流额定值:145 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.6@24A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:15 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-25TTS16STRLPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D2PAK-3,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:150 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:350 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.25@16A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:45 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST1200C16K0P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1650 A; 浪涌电流额定值:32000 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.73@4000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR2045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD6100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=6A,Vr=100V,Vf=0.74V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2545FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=25A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1080FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR830,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ADQM2604H,继电器,SPST-NO,60A,4.5VDC,20.3Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:60 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 线圈电流:221.7 mA; 线圈电阻:20.3 Ohm; 触点材质:Silver Nickel; 最大额定AC交流电压:250 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ASX220A12J,继电器,DPDT,0.01A,12VDC,2.057KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:5.8 mA; 线圈电阻:2.057 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DS1EML12J,继电器,SPDT,3A,12VDC,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:12 V; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DK2A-12V,继电器,DPST-NO,8A,12VDC,720Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.6 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ12F12,继电器,SPDT,16A,12VDC,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 工作温度:-40 to 105 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHK120X0J,继电器,SPDT,15A,100/110VDC,10KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:15 A; DC直流线圈电压:100|110 V; 线圈电流:11 mA; 线圈电阻:10 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:125 V; 工作温度:-50 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN22205J,继电器,DPDT,5A,5VDC,47Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:106.4 mA; 线圈电阻:47 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR250D-320C2-28V-020,继电器,SPDT,25A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:25 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN22312J,继电器,DPDT,5A,12VDC,270Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:44.4 mA; 线圈电阻:270 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGQ200A1HJ,继电器,DPDT,2A,1.5VDC,16Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:1.5 V; 线圈电流:93.8 mA; 线圈电阻:16 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ66012J,继电器,DPST-NO,16A,12VDC,576Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:20.83 mA; 线圈电阻:576 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN210X0J,继电器,DPDT,5A,100/110VAC,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; AC交流线圈电压:100|110 V; 线圈电流:9|10.6 mA; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
EW500,霍尔传感器,由AKE原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ138,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度!适用气体:毒性气体:醇类,苯系,醛类,酮类,酯类等有机挥发物.探测范围:5-500ppm,特征气体:50ppm 甲苯. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3283ELTTR-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-89封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EW560,霍尔传感器,由AKE原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGN-615PG,力敏传感器,由FUJIKURA原厂生产,DIP封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS566A,霍尔传感器,由HONEYWELL原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
H202,霍尔传感器,由CN原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-8B,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MU760TX,声波传感器,由CN原厂生产,DIP3封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXH6400A6T1,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,SOP-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ITR-9608,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,GAP5-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长24.4mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽3.1mm,光缝宽1mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MC114,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VBP104SR,硅光电池管,由VISHAY原厂生产,3X3-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片2PIN,波长780-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PH310,光电二极管,由NEC原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CGV1016,光纤收发头,由NEC原厂生产,SIDE-SMD封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HS0038A2.,红外接收头,VISHAY原厂生产,DIP3封装,参数描述:质量稳定,抗干扰性好,大体积直插3脚,频率38KHZ. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S5573,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN波长320-1060nm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SIR-34ST3F,红外发射管,ROHM原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LN69,红外发射管,PANASONIC原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S1136-5BQ,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,TOP8.1-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN波长190-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH487-3,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSTS7502,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TRR-1D51-201,光电二极管,由TrueLight原厂生产,TOP-DIP5封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SP68C,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP6X8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,金属圆形透明直插芯片6mmX8mm,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
5KP8.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 333 A; 最大反向漏电流: 150 uA; 最大钳位电压: 15 V; 最大反向关态电压: 8 V; 最小击穿电压: 8.89 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6170A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 206.3 V; 最大反向关态电压: 114 V; 最小击穿电压: 142.5 V; 测试电流: 8 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
JANTX1N6164, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 62.2V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 118.2 V; 最大反向关态电压: 62.2 V; 最小击穿电压: 73.8 V; 测试电流: 15 mA; 工作温度: -55 to 125 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP22CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 127 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 39.4 V; 最大反向关态电压: 22 V; 最小击穿电压: 24.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE68ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 92 V; 最大反向关态电压: 58.1 V; 最小击穿电压: 64.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP70AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 44.2 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 113 V; 最大反向关态电压: 70 V; 最小击穿电压: 77.8 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP17CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 164 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 30.5 V; 最大反向关态电压: 17 V; 最小击穿电压: 18.9 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP58CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 103 V; 最大反向关态电压: 58 V; 最小击穿电压: 64.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP20CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 139 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 35.8 V; 最大反向关态电压: 20 V; 最小击穿电压: 22.2 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP10A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 294 A; 最大反向漏电流: 15 uA; 最大钳位电压: 17 V; 最大反向关态电压: 10 V; 最小击穿电压: 11.1 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP75E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 75V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 37 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 134 V; 最大反向关态电压: 75 V; 最小击穿电压: 83.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE91CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 77.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 125 V; 最大反向关态电压: 77.8 V; 最小击穿电压: 86.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C122JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.2 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C471JGFNFNE,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值470 pF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C1R8BB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C0R9BA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值0.9 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C100JC8NNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压100 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C1R5BB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C331JB5NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C2R2BB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C240JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值24 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C821JBCNNNL,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值820 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C331JIHNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C270JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值27 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562