TPME226K050H0100
TPME226K050H0100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-43,E型,参数:容值: 22 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
1PMT16AT3G
1PMT16AT3G,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:ON,封装:PowerMite-2Pin,参数:类型:TVS; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:26 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:16@HBM kV; 最大工作电压:16 V; 最大漏电流:1 uA; ...
R594443417
R594443417,射频开关,RF Switch SPnT 0MHz to 20GHz 80dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
LM2904PSR
LM2904PSR ,双路通用运算放大器,TI原厂生产,SOP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.7 MHz,典型转换速率:0.3@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V@-40C to 125C mA,最大输入失调电压:7@26V mV,最大输入偏置电流:0.25@5V uA...
VS-ST083S04PFN1P
VS-ST083S04PFN1P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:85 A; 浪涌电流额定值:2560 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:2.15@300A V; 重复峰值...
2SC3295B(TE85L,F)
2SC3295B(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:1200@2mA@6V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
T530D227M010ATE006
T530D227M010ATE006,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 220 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.006 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:07...
XC3S250E-4FTG256C
XC3S250E-4FTG256C,现场可编程门阵列(FPGA),250K Gates,5508 Cells,572MHz,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FTBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3E,逻辑门数量(Gates):250000,逻辑...
FTR-C2CA012G
FTR-C2CA012G,继电器,DPDT,2A,12VDC,480Ohm,品牌:Fuji,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电阻:480 Ohm; 触点材质:Silver Alloy; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定D...
SPC564L54L3BCOQR
SPC564L54L3BCOQR,单片机，微控制器，120MHz，32位，768KB闪存，96K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LQFP,参数:MCU,120MHz,32Bit,768KB Flash,96K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
5CEFA7M15C6N
5CEFA7M15C6N,现场可编程门阵列(FPGA),149500 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,MBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone V E,逻辑单元数量(Cells):149500,逻辑单元数量(Units):149500,寄存器数量(Registers):22...
XC4VLX40-11FFG1148C
XC4VLX40-11FFG1148C,现场可编程门阵列(FPGA),41472 Cells,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1148封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-4 LX,逻辑单元数量(Cells):41472,逻辑单元数量(Units):4...
SZ1SMB36CAT3G
SZ1SMB36CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最...
SMBJ5.0CA-TR
SMBJ5.0CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 298 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳...
5KP14AHE3
5KP14AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 216 A; 最大反向漏电流:...
GP2S24BJ000F
GP2S24BJ000F,反射式开关,由SHARP原厂生产,TOP-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,易安装,最佳感应距离1-10mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LM1972MX/NOPB
LM1972MX/NOPB,数字衰减器,Digital Attenuator 104dB Attenuation,品牌:TI,封装:20SOIC W,咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C39
AZ23C39,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=39V,Min=37V,Max=41V,Zzt=90欧姆,Zzk=300欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LP3987ITLX-3.0
LP3987ITLX-3.0,具有休眠模式的微功耗微型 SMD 150 mA 超低压降 CMOS 电压稳压器,品牌:TI,封装:uSMD-5,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:3.2 V,最大输入电压:6 V,最大输出电流:0.15(Min) A,输出电压:3 V,最...
HGTG18N120BND
HGTG18N120BND,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:54 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...