TL064CDR
TL064CDR ,四路低功耗 JFET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:3.5@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:15@±15V mV,最大输入偏置电流:0.0004@±15V uA,典型输入噪声电压密度:42@±...
TLC2272ACPWG4
TLC2272ACPWG4 ,高级 LinCMOS(TM) 轨至轨双路运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:2.18 MHz,典型转换速率:3.6@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:3@5V mA,最大输入失调电压:0.95@±2.5V mV,最大输入偏置电流:...
IRG4BC20W-SPBF
IRG4BC20W-SPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:13 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
STM8AF52A9TDY
STM8AF52A9TDY,单片机，微控制器，24MHz，8位，128KB闪存，6K RAM内存,品牌:ST,封装:64-LQFP,参数:MCU,24MHz,8Bit,128KB Flash,6K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
CL21B105KPFNNNG
CL21B105KPFNNNG,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 uF,电压10 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
R411801121
R411801121,固定衰减器,Fixed Coaxial Attenuators 18GHz 1dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
XCS40XL-4BG256C0262
XCS40XL-4BG256C0262,现场可编程门阵列(FPGA),40K Gates,1862 Cells,217MHz,3.3V,由Xilinx原厂生产,BGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-XL,逻辑门数量(Gates):40000,逻辑单元数量(Cells):1862,逻辑单元数量(U...
CWR29FC227KCHZ
CWR29FC227KCHZ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: H型,参数:容值: 220 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.18 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
SA90AHE3
SA90AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 90V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SM15T30AY
SM15T30AY,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:STMicroelectronics,封装:SMC-2,参数:类型:TVS; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:53.5 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Air Gap/30@Contact Disc k...
ADS1110A7IDBVR
ADS1110A7IDBVR,16位15SPS Δ-Σ ADC，具有内部参考、PGA和振荡器 I2C串行接口,由TI原厂生产,SOT-23-6封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:128 sps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:Delta-Sigma,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial (...
LP2985AITP-2.8/NOPB
LP2985AITP-2.8/NOPB,具有关断状态和 1% 容限的 150mA 低噪声低压降稳压器,品牌:TI,封装:uSMD-5,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.5 V,最大输入电压:16 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:2.8 V,典型压差电压@...
XC6SLX9-3FTG256I
XC6SLX9-3FTG256I,现场可编程门阵列(FPGA),9152 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FTBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LX,逻辑单元数量(Cells):9152,逻辑单元数量(Units):9152,寄...
SMCJ24CA
SMCJ24CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 38.6 A; 最大反向漏...
SMCJ8.5AHE3
SMCJ8.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.2 A; 最大反向漏电流:...
TPSB225M035R2000
TPSB225M035R2000,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 2 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
1SMA45AT3G
1SMA45AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA; 最...
T491B334K050AT
T491B334K050AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 0.33 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 10 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
ST7FOXU0M6
ST7FOXU0M6,单片机，微控制器，8MHz，8位，2KB闪存，128 RAM内存,品牌:ST,封装:8-SOIC,参数:MCU,8MHz,8Bit,2KB Flash,128 RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-T50RIA100
VS-T50RIA100,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D-55-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:50 A; 浪涌电流额定值:1370 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:1.6 V; 重复峰值断态电流:0.1 ...