CL10C180JC8NNNC
CL10C180JC8NNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压100 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
PCM4202DBG4
PCM4202DBG4,118dB SNR 立体声音频 ADC,由TI原厂生产,SSOP-28封装,参数为:分辨率:24 Bit,采样速率:216 ksps,ADC数量:2,模拟输入数量:2,架构:Delta-Sigma,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial,输入类型:Voltage,采样和保持功能:No,...
LP3981ILD-3.0/NOPB
LP3981ILD-3.0/NOPB,微功耗，300mA 超低压降 CMOS 电压稳压器,品牌:TI,封装:LLP-6 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:6 V,最大输出电流:0.3 A,输出电压:3 V,最大功耗:2000 mW,典型压差电压@电流:0....
T510X226K050ATE075
T510X226K050ATE075,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 22 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.075 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
M39016/20-010L
M39016/20-010L,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,12VDC,390Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:32.8 mA; ...
MMUN2217LT1G
MMUN2217LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
2N3772G
2N3772G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:15@10A@4V|5@20A@4V; 最大工作频率:0.2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.4@1A@10...
XC4008E-4PQ208C
XC4008E-4PQ208C,现场可编程门阵列(FPGA),8K Gates,770 Cells,0.35um Technology,5V,由Xilinx原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:XC4000E,逻辑门数量(Gates):8000,逻辑单元数量(Cells):770,逻辑单元数量(Un...
FGA50T65SHD
FGA50T65SHD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3PN-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃....
MAX2172ETL/V+T
MAX2172ETL/V+T,调协器,Tuners Radio 108MHz/240MHz/1.492GMHz,品牌:Maxim,封装:40TQFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
TBJD336M035LBSB0045
TBJD336M035LBSB0045,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 33uF;电压: 35V;公差精度: 20%;外形尺寸: 7.3 X 4.3 X 2.9mm;等效串联电阻: 0.2 Ohm.咨询购买请致电:0755-83897562
STM32F102R6T6A
STM32F102R6T6A,单片机，微控制器，48MHz，32位，32KB闪存，6K RAM内存,品牌:ST,封装:64-LQFP,参数:MCU,48MHz,32Bit,32KB Flash,6K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
P6KE13ARLG
P6KE13ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
ADS1232IPWRG4
ADS1232IPWRG4,24位、超低噪声模数转换器,由TI原厂生产,TSSOP-24封装,参数为:分辨率:24 Bit,采样速率:80 sps,ADC数量:1,模拟输入数量:2,架构:Delta-Sigma,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial (2-Wire),输入类型:Voltage,输入电压极性:...
BR230-78B2-12V-013L
BR230-78B2-12V-013L,继电器,4PDT,10A,12V,78Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:153.85 mA; 线圈电阻:78 Ohm; 最大额定AC交流电压:20...
TAS5760MDCAR
TAS5760MDCAR ,具有功率限制器的基本 I?S 输入放大器（滤波器和集成式耳机）,TI原厂生产,HTSSOP-48封装,参数为:功能:扬声器,放大器类型:Class-D,典型输出功率x通道@载:40x1@4Ohm|24x2@8Ohm W,输入信号类型:Single,输出信号类型:Differential,输出...
1N6383HE3
1N6383HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 uA;...
STM32F407IGT7
STM32F407IGT7,单片机，微控制器，168MHz，32位，1MB闪存，192K RAM内存,品牌:ST,封装:176-LQFP,参数:MCU,168MHz,32Bit,1MB Flash,192K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
J175_D26Z
J175_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838975...
BTA316X-600E,127
BTA316X-600E,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:150 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@18A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触...