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TLV2784AIDR

TLV2784AIDR ,四路 1.8V RRIO、8MHz 放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:8 MHz,典型转换速率:5@3.6V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:3.08@2.7V mA,最大输入失调电压:2@2.7V mV,最大输入偏置电流:0.000...

TRF37C75IDSGR

TRF37C75IDSGR,射频运放芯片,RF Amp Chip Single GP 4000MHz 5.25V,品牌:TI,封装:8WSON,咨询购买请致电:0755-83897562

IRFR120Z

IRFR120Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=190.0mOhms,Id=8.7A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SMUN5212T1G

SMUN5212T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...

DTC143ZUAT106

DTC143ZUAT106,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...

G6EK134PSTUSDC9

G6EK134PSTUSDC9,继电器,SPDT,3A,9VDC,品牌:Omron,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:9 V; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作...

TPSE687M006R0060

TPSE687M006R0060,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-43,E型,参数:容值: 680 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.06 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...

BCW89,215

BCW89,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@5V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@1...

MSC8254SAG1000B

MSC8254SAG1000B,数字信号处理器(DSP),32-Bit 1000MHz,品牌:Freescale,封装:FCPBGA-783,详细参数:最大速度:1000 MHz,RAM大小:48 KB,数据总线宽度:32 Bit,设备输入时钟速度:1000 MHz,工作电源电压:1|2.5 V,工作温度:0 to 1...

MAX9485EUP+

MAX9485EUP+,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Generator Single,品牌:Maxim,封装:20TSSOP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562

CB1AHFTDP24J

CB1AHFTDP24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(C...

TLV1548QDBRQ1

TLV1548QDBRQ1,汽车类低电压 10位模数转换器,具有串行控制和8个模拟输入,由TI原厂生产,SSOP-20封装,参数为:分辨率:10 Bit,采样速率:85 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:8,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (4-Wire, SPI, QSPI),输入...

1N6159

1N6159, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电流:...

TPS73215MDBVREP

TPS73215MDBVREP,增强型产品,具有反向电流保护的无电容、NMOS、250mA,1.5 V输出,低压降稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.25 A,输出电压:1.5 V,最大功耗:...

G5LE1436DC12

G5LE1436DC12,继电器,SPDT,8ADC/10AAC,12VDC,400Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:8DC|10AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:30 mA; 线圈电阻:400 Ohm; 触点材质:Silver Tin...

TRJB226M010RRJ

TRJB226M010RRJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 22 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 1.88 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...

SMCJ18AE3

SMCJ18AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 51.4 A; 最大反向...

M1AFS1500-1FGG484I

M1AFS1500-1FGG484I,现场可编程门阵列(FPGA),1.5M Gates,1282.05MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Fusion,逻辑门数量(Gates):1500000,系统门数量(Sy...

M2GL010-1VF400

M2GL010-1VF400,现场可编程门阵列(FPGA),12084 Cells,65nm Technology,3.3V,由Microsemi原厂生产,FPBGA-400封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO2,逻辑单元数量(Cells):12084,逻辑单元数量(Units):12084,典型操作电源电压:3...

CL03C5R1CA3GNNC

CL03C5R1CA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.1 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562