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T494B476K004AT

T494B476K004AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 47 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...

BC337-40

BC337-40,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电...

R413801121

R413801121,固定衰减器,Fixed Coaxial Attenuators 26.5GHz 1dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

M39016/8-024L

M39016/8-024L,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,26.5VDC,2KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:26...

NRF2402G-REEL

NRF2402G-REEL,射频传感器,RF Transmitter GFSK 3V,品牌:Nordic,封装:16QFN EP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562

EDF1DS-E3/77

EDF1DS-E3/77,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 DFS,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:200 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:1@Ta=40C A; 峰值正向电压:1.05 V; 工作温度:-55 to 150 ℃;...

EP2C8T144C8

EP2C8T144C8,现场可编程门阵列(FPGA),8256 Cells,402.58MHz,90nm Technology,1.2V,由Altera原厂生产,TQFP-144封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone II,逻辑单元数量(Cells):8256,逻辑单元数量(Units):8256,最大内部频率...

BT168G,112

BT168G,112,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:SPT-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:5 mA; 额定平均通态电流:0.5 A; 浪涌电流额定值:9 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.7@1.2A V; 重复峰值断态电流:0.1 mA; 最大栅...

TPS79618DCQ

TPS79618DCQ,单输出 LDO、1.0A、固定电压 (1.8V)、低噪声、高 PSRR,品牌:TI,封装:SOT223-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:1A,输出电压:1.8 V,典型压差电压@电流:0.2@1A V,精度...

ER412DM4-5B

ER412DM4-5B,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,50Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:100 mA; 线圈电阻:50...

PMP4201G,115

PMP4201G,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-353-5,参数:类型:NPN; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA...

IRF7842

IRF7842,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BT138B-800E,118

BT138B-800E,118,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:30 mA; 浪涌电流额定值:105 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.65@15A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电...

MAX7030LATJ+T

MAX7030LATJ+T,射频传感器,RF Transceiver ASK/OOK 2.7V/5V,品牌:Maxim,封装:32TQFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562

74HC1G14GV

74HC1G14GV高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SOT753封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562

309RILF

309RILF,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Synthesizer Triple,品牌:IDT,封装:20QSOP,咨询购买请致电:0755-83897562

A54SX32A-FPQG208

A54SX32A-FPQG208,现场可编程门阵列(FPGA),32K Gates,1800 Cells,172MHz,0.25um/0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:SX-A,逻辑门数量(Gates):32000,...

EP2S30F484C4N

EP2S30F484C4N,现场可编程门阵列(FPGA),Stratix II Family,33880 Cells,711.24 MHz CMOS Technology,1.2 V,由Altera原厂生产,FC-FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Stratix II,逻辑单元数量(Cells):3388...

2SD2206(TE6,F,M)

2SD2206(TE6,F,M),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:TO-92 Mod-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:2000@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1mA@1A V; 最...

TLV713185PDQNR

TLV713185PDQNR,用于便携式设备的 150mA、1.85 V低 IQ、低噪音、低压降稳压器,品牌:TI,封装:SON4X2,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.4 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:1.85 V,典型压差电压@电流:0.6@...