IRLZ44N
IRLZ44N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
XC5VLX110-1FFG1153I
XC5VLX110-1FFG1153I,现场可编程门阵列(FPGA),110592 Cells,65nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1153封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-5 LX,逻辑单元数量(Cells):110592,逻辑单元数量(Units):1...
5AGZME3E3H29I4N
5AGZME3E3H29I4N,现场可编程门阵列(FPGA),360000 Cells,28nm 0.85V,由Altera原厂生产,HBGA-780封装,详细参数为:所属产品系列:Arria V GZ,逻辑单元数量(Cells):360000,逻辑单元数量(Units):360000,寄存器数量(Registers)...
VS-81RIA80PBF
VS-81RIA80PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:80 A; 浪涌电流额定值:1990 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.6@250A V; 重复峰值断态电流...
PESD3V3L5UF,115
PESD3V3L5UF,115,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:NXP,封装:XSON-6,参数:类型:TVS; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:20@Contact Disc/10@HBM kV; 最大工作电压:3.3 ...
DAC0808LCMX/NOPB
DAC0808LCMX/NOPB,8位D/A 转换器,由TI原厂生产,SOIC-16 N封装,参数为:分辨率:8 Bit,架构:R-2R,数字接口类型:Parallel,DAC通道数:1,每芯片输出:1,输出类型:Current,积分非线性误差:0.19 % of FSR,最大稳定时间:0.15(Typ) us,是否抗...
ADS5240IPAPT
ADS5240IPAPT,具有串行LVDS 接口的4通道 12位40MSPS ADC,由TI原厂生产,HTQFP-64 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:40 Msps,ADC数量:4,模拟输入数量:4,架构:Pipelined,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial,输入类型:Voltage...
IRG4PH30KDPBF
IRG4PH30KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
T520B686M006AHE070
T520B686M006AHE070,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 68 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.07 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:075...
BAS116
BAS116,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=225mW,Io=200mA,Vr=75V,Vf=1.25V,Ir=0.005uA,Trr=3000nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSA539
KSA539,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TL074QDREP
TL074QDREP ,增强型产品四路低噪声 JFET 输入通用运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:3 MHz,典型转换速率:13@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:10@5V mA,最大输入失调电压:9@±15V mV,最大输入偏置电流:0.0002@...
ULN2803A
ULN2803A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350u...
T495D227K010AHE125
T495D227K010AHE125,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 220 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.125 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:07...
ADSP-BF535PKB-300
ADSP-BF535PKB-300,浮点数字信号处理器,32-Bit 300MHz 300MIPS,品牌:Analog Devices,封装:BGA-260,详细参数:数字和算术格式:Floating-Point,最大速度:300 MHz,设备每秒百万指令:300 MIPS,数据总线宽度:32 Bit,设备输入时钟速度...
STR755FV1H6
STR755FV1H6,单片机，微控制器，60MHz，32位，128KB闪存，16K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LFBGA,参数:MCU,60MHz,32Bit,128KB Flash,16K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
FGH40N60UFTU
FGH40N60UFTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
T495D685K050AHE200
T495D685K050AHE200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
IRF7451
IRF7451,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C221JBCNNND
CL31C221JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562