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J412DD-18WL

J412DD-18WL,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,18VDC,880Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:18 V; 线圈电流:22.1 mA; 线圈电...

A3P1000-2PQ208

A3P1000-2PQ208,现场可编程门阵列(FPGA),1M Gates,310MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC 3,逻辑门数量(Gates):1000000,系统门数量(System Ga...

G6S2GDC12BYOMR

G6S2GDC12BYOMR,继电器,DPDT,2A,12VDC,1.028KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:11.7 mA; 线圈电阻:1.028 KOhm; 触点材质:Silver/Gold Cl...

VS-ST280S04P0V

VS-ST280S04P0V,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:280 A; 浪涌电流额定值:8220 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.28@880A V; 重复峰值断...

ER422D-5B/Q

ER422D-5B/Q,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,61Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈...

PDTA143EMB,315

PDTA143EMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...

BCR5CM-12LB#BB0

BCR5CM-12LB#BB0,可控硅整流器,品牌:Renesas,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 浪涌电流额定值:50 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.8@7A V; 重复峰值断态电流:2 mA; 最大栅极峰值反向电压:1.5 V; 工...

ADS8883IDRCT

ADS8883IDRCT,具有18位,666kSPS和串行接口的微功耗小型差动输入SAR ADC,由TI原厂生产,VSON-10 EP封装,参数为:分辨率:18 Bit,采样速率:680 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial (3-Wire, 4-W...

INA138NA/250

INA138NA/250 ,36V、高侧、电流输出电流分流监控器,TI原厂生产,SOT-23-5封装,参数为:1 路电流检测放大器, 电源类型:Single,最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:36 V,温度范围:-40 to 125 ℃,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

M1A3P1000-PQG208M

M1A3P1000-PQG208M,现场可编程门阵列(FPGA),1M Gates,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):1000000,系统门数量(System Gates):...

LPV511MG/NOPB

LPV511MG/NOPB ,微功耗轨至轨输入和输出运算放大器,TI原厂生产,SC-70-5封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

XC4020XL-1HT144I

XC4020XL-1HT144I,现场可编程门阵列(FPGA),20K Gates,1862 Cells,0.35um Technology,3.3V,由Xilinx原厂生产,HSTQFP-144 EP封装,详细参数为:所属产品系列:XC4000X,逻辑门数量(Gates):20000,逻辑单元数量(Cells):18...

BZX84C7V5TS

BZX84C7V5TS,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-363封装,参数为:Pd=200mW,Nom=7.5V,Min=7V,Max=7.9V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

PCM5242RHBR

PCM5242RHBR,4.2VRMS、114dB 音频立体声差动输出 DAC,由TI原厂生产,VQFN-32封装,参数为:分辨率:32 Bit,架构:Interpolation Filter,数字接口类型:Serial,DAC通道数:2,每芯片输出:2,输出类型:Voltage,信噪比:114(Typ) dB,满量程...

NGD15N41ACLT4G

NGD15N41ACLT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:440 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:15 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

TPS79633DCQG4

TPS79633DCQG4,单输出 LDO、1.0A、固定电压 (3.3V)、低噪声、高 PSRR,品牌:TI,封装:SOT223-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:1A,输出电压:3.3 V,典型压差电压@电流:0.22@1A V...

UESD3.3DT5G

UESD3.3DT5G,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:类型:TVS; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Disc kV; 最大工作电压:3.3 V; 最大漏电流:...

R577F53010

R577F53010,射频开关,RF Switch 0MHz to 26.5GHz 50dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

LM193 MD8

LM193 MD8 ,双路差动比较器,TI原厂生产,Die封装,参数为:2 路, 输出类型:Open Collector, 典型响应时间:1.3 us,典型电压增益:106.02 dB,最小单电源电压:2 V,最大单电源电压:36 V,最小双电源电压:±1 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-55 to 125...

BC818-40LT1G

BC818-40LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...