SI4021-A1-FT
SI4021-A1-FT,射频传感器,RF Transmitter FSK 2.2V to 5.4V,品牌:Silicon,封装:16TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
XC4052XLA-09PQ240I
XC4052XLA-09PQ240I,现场可编程门阵列(FPGA),52K Gates,4598 Cells,227MHz,0.35um(CMOS) 3.3V,由Xilinx from Components Direct原厂生产,PQFP-240封装,详细参数为:所属产品系列:XLA,逻辑门数量(Gates):5200...
ADF4154BRUZ-RL7
ADF4154BRUZ-RL7,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Single,品牌:ADI(Analog Devices),封装:16TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1690KT146
2SB1690KT146,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:360(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@50mA@1A...
TLC073CNE4
TLC073CNE4 ,具有关断状态的双宽带宽高输出驱动运算放大器,TI原厂生产,PDIP-14封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:10 MHz,典型转换速率:16@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:5@5V mA,最大输入失调电压:1.9@5V mV,最大输入偏置电流:0.00005@5V uA...
A3P600-2FG484I
A3P600-2FG484I,现场可编程门阵列(FPGA),600K Gates,310MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):600000,系统门数量(System Ga...
TPS76750QD
TPS76750QD,单输出 LDO、1.0A、固定电压 (5.0V)、低静态电流、快速瞬态响应,品牌:TI,封装:SOIC-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:1A,输出电压:5 V,最大功耗:904 mW,典型压差电压@电流:0.2...
PACDN1408CG
PACDN1408CG,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:ON,封装:CSP-10,参数:类型:TVS; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12(Typ) V; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:±25(Min)@Contact Disc/±30(Min)@HBM kV...
CDNBS08-SLVU2.8-4
CDNBS08-SLVU2.8-4,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:Bourns,封装:SOIC-8 N,参数:类型:TVS; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:21 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Disc kV;...
M38510/12501SGA
M38510/12501SGA ,采样和保持1-CH为10μs,TI原厂生产,TO-99-8封装,参数为:1 路采样和保持放大器, 采集用时:10 us, 工作电源电压:±9|±12|±15 V,温度范围:-55 to 125 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1987-O(Q)
2SA1987-O(Q),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PL-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@8A...
TIP117G
TIP117G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电极基...
TACL226K004RTA
TACL226K004RTA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 1608-10,L型,参数:容值: 22uF;电压: 4V;公差精度: 10%;外形尺寸: 1.6 X 0.85 X 0.85mm;等效串联电阻: 7.5 Ohm.咨询购买请致电:0755-83897562
BU12105S-M3/45
BU12105S-M3/45,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 BU,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:1000 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:3.4 A; 峰值正向电压:1.05@6A V; 工作温度:-55 to 150 ℃;...
TLC279IDG4
TLC279IDG4 ,四路精密单电源运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.7 MHz,典型转换速率:3.6@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:6.4@5V mA,最大输入失调电压:0.9@5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@5V uA,典型输入...
IGW40T120FKSA1
IGW40T120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
TPS73633DCQ
TPS73633DCQ,具有反向电流保护的无电容 Nmos 400mA,3.3 V输出,低压降稳压器,品牌:TI,封装:SOT223-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.4 A,输出电压:3.3 V,典型压差电压@电流:0.075...
MUN5312DW1T2G
MUN5312DW1T2G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
LP3965ESX-ADJ
LP3965ESX-ADJ,1.5A 快速超低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:TO263-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.5 V,最大输入电压:7 V,最大输出电流:1.5 A,输出电压:1.216 to 5.1 V,典型压差电压@电流:0.038@150mA|0.38@15...
TPS75215QPWP
TPS75215QPWP,单输出 LDO、2.0A、固定电压 (1.5V)、SVS、快速瞬态响应,品牌:TI,封装:HTSSOP-20 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:2A,输出电压:1.5 V,最大功耗:7200 mW,精度:...