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SEDS-9980

SEDS-9980,凹槽型开关,由AGILENT原厂生产,GAP2-DIP5封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

P6SMB540AHE3_A/I

P6SMB540AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 459V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 0.81 A; 最大反向漏电...

ADC121C021CIMM/NOPB

ADC121C021CIMM/NOPB,具有警报引脚的I2C 兼容、12位模数转换器,由TI原厂生产,MSOP-8封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:188.9 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (2-Wire, I2C),输入类型:Vo...

TAJK106M010RNJ

TAJK106M010RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-10,K型,参数:容值: 10 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 2.2 Ohm;外形尺寸: 3.2*1*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...

TAJA105M035RNJ

TAJA105M035RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 1 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 7.5 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...

A3P125-2FGG144

A3P125-2FGG144,现场可编程门阵列(FPGA),125K Gates,310MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-144封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):125000,系统门数量(System Ga...

9FGL839AKLFT

9FGL839AKLFT,射频IC,锁向环,PLL Clock Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:48VFQFPN EP,咨询购买请致电:0755-83897562

TMS32C6416EZLZA6E3

TMS32C6416EZLZA6E3,品牌:Texas Instruments,封装:FCBGA-532,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:600 MHz,设备每秒百万指令:4800 MIPS,数据总线宽度:32 Bit,设备输入时钟速度:600 MHz,指令集架构:Advanced VLIW...

EPF10K70RC240-3

EPF10K70RC240-3,现场可编程门阵列(FPGA),70K Gates,3744 Cells,125MHz,CMOS Technology,5V,由Altera原厂生产,RQFP-240封装,详细参数为:所属产品系列:FLEX 10K,逻辑门数量(Gates):70000,逻辑单元数量(Cells):3744...

OPA2314AIDRBR

OPA2314AIDRBR ,双路、3MHz、低功耗、低噪声、RRI/O、1.8V CMOS 运算放大器,TI原厂生产,VSON-8 EP封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:3 MHz,典型转换速率:1.5@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大输入失调电压:2.5@5.5V mV,最大输入偏置电流:0.0...

XC3030-100PG84M

XC3030-100PG84M,现场可编程门阵列(FPGA),2K Gates,100 Cells,100MHz,CMOS Technology,5V,由Xilinx原厂生产,CPGA-84封装,详细参数为:所属产品系列:XC3000,逻辑门数量(Gates):2000,逻辑单元数量(Cells):100,逻辑单元数量...

DTC114TM3T5G

DTC114TM3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...

CL21C221JDCNNNC

CL21C221JDCNNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压200 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562

MK2059-01SILFTR

MK2059-01SILFTR,射频IC,锁向环,PLL Clock Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:20SOIC,咨询购买请致电:0755-83897562

ADN2816ACPZ

ADN2816ACPZ,射频IC,锁向环,PLL Clock Generator Single,品牌:ADI(Analog Devices),封装:32LFCSP EP,咨询购买请致电:0755-83897562

T510X226M050ATE100

T510X226M050ATE100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 22 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...

CD214B-T100CALF

CD214B-T100CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.7 A; 最大反向漏电流: 5...

2N5061RLRAG

2N5061RLRAG,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:60 V; 最大保持电流:5 mA; 额定平均通态电流:0.51 A; 浪涌电流额定值:10 A; 重复峰值正向阻断电压:60 V; 峰值通态电压:1.7@1.2A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; ...

LP5990TM-3.3/NOPB

LP5990TM-3.3/NOPB,微功耗 200mA 低压降稳压器,品牌:TI,封装:uSMD-4,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.2 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.2 A,输出电压:3.3 V,典型压差电压@电流:0.16@200mA V,...

TLV274IDRG4

TLV274IDRG4 ,550uA/通道 3MHz 轨至轨输出运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:3 MHz,典型转换速率:2.4@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:2.64@5V mA,最大输入失调电压:5@5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@5...