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T496B226K006ATE3K5

T496B226K006ATE3K5,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 22 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...

AGL400V2-FGG484

AGL400V2-FGG484,现场可编程门阵列(FPGA),400K Gates,130nm (CMOS) Technology,1.2V/1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO,逻辑门数量(Gates):400000,系统门数量(System Gates)...

LMH6644MT/NOPB

LMH6644MT/NOPB ,低功耗、130MHz、75mA 轨至轨输出放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,电压反馈放大器,典型转换速率:125@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:17@5V mA,最大输入失调电压:5@5V mV,最大输入偏置电流:2.6@5V uA,典型输入噪声电压...

T495D227K2R5ATE045

T495D227K2R5ATE045,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 220 uF;电压: 2.5 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.045 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0...

VS-ST330S16P1PBF

VS-ST330S16P1PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-118-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:330 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.52@1000A V;...

TPS793285DBVTG4

TPS793285DBVTG4,超低噪声、高 PSRR、快速射频、高电平启用的 200mA,2.85V输出,低压降稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.2 A,输出电压:2....

ACST1035-7FP

ACST1035-7FP,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FPAB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:700 V; 最大保持电流:50 mA; 浪涌电流额定值:105 A; 重复峰值正向阻断电压:700 V; 峰值通态电压:1.5@14.1A V; 重复峰值断态...

ST7FLIT15BF0B6

ST7FLIT15BF0B6,单片机,微控制器,8MHz,8位,2KB闪存,256 RAM内存,品牌:ST,封装:20-DIP,参数:MCU,8MHz,8Bit,2KB Flash,256 RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

LMC6482AIMX

LMC6482AIMX ,CMOS 双路轨至轨输入和输出运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1.5 MHz,典型转换速率:1.3@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:1.4@5V mA,最大输入失调电压:0.75@5V mV,最大输入偏置电流:0.000...

STM32F102C6T6ATR

STM32F102C6T6ATR,单片机,微控制器,48MHz,32位,32KB闪存,6K RAM内存,品牌:ST,封装:48-LQFP,参数:MCU,48MHz,32Bit,32KB Flash,6K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

TAJR224M035RNJ

TAJR224M035RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 2012-12,R型,参数:容值: 0.22uF;电压: 35V;公差精度: 20%;外形尺寸: 2.05 X 1.3 X 1.2mm;等效串联电阻: 21 Ohm.咨询购买请致电:0755-83897562

SCM-013RT

SCM-013RT,红外发射管,ROHM原厂生产,TOP-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

1N6114US

1N6114US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流...

TLC274BCDG4

TLC274BCDG4 ,LinCMOS(TM) 精密四路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.7 MHz,典型转换速率:3.6@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:6.4@5V mA,最大输入失调电压:2@5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@5V...

AFS250-2FGG256I

AFS250-2FGG256I,现场可编程门阵列(FPGA),250K Gates,1470.59MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Fusion,逻辑门数量(Gates):250000,系统门数量(System...

LMH6550MAX

LMH6550MAX ,差动、高速运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:1通道,电压反馈放大器,典型增益带宽:350 MHz,典型转换速率:1500@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:23.5@5V mA,最大输入失调电压:4@5V mV,最大输入偏置电流:16@5V uA,典型输入噪声电压...

XC6SLX45-N3CSG484I

XC6SLX45-N3CSG484I,现场可编程门阵列(FPGA),43661 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,CSBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LX,逻辑单元数量(Cells):43661,逻辑单元数量(Units):43...

TAZH156K025LBLC0924

TAZH156K025LBLC0924,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: H型,参数:容值: 15 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...

810001BK-22LF

810001BK-22LF,射频IC,锁向环,PLL Clock Generator Single,品牌:IDT,封装:32VFQFN,咨询购买请致电:0755-83897562

EPF10K50VRC240-1

EPF10K50VRC240-1,现场可编程门阵列(FPGA),50K Gates,2880 Cells,250MHz,CMOS Technology,3.3V,由Altera原厂生产,RQFP-240封装,详细参数为:所属产品系列:FLEX 10K,逻辑门数量(Gates):50000,逻辑单元数量(Cells):2...