DAC7760IRHAR
DAC7760IRHAR,单通道、12位可编程电流输出和电压输出 DAC,由TI原厂生产,VQFN-40 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,架构:Resistor-String,数字接口类型:Serial (4-Wire, SPI, QSPI, Microwire),DAC通道数:1,每芯片输出:2,输出类型:C...
DDTB113EU-7-F
DDTB113EU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:33@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
T528Z477M2R5ATE008
T528Z477M2R5ATE008,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-17,Z型,参数:容值: 470 uF;电压: 2.5 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.008 Ohm;外形尺寸: 7.3*1.7*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:0...
SMBJ18A-E3
SMBJ18A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 20.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
ST62T01CM3/TR
ST62T01CM3/TR,单片机，微控制器，8MHz，8位，2KB OTP，64 RAM内存,品牌:ST,封装:16-SOIC,参数:MCU,8MHz,8Bit,2KB OTP,64 RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
TPSMC12A-E3
TPSMC12A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 89.8 A; 最大反向漏电流:...
XC3S1600E-4FGG400I
XC3S1600E-4FGG400I,现场可编程门阵列(FPGA),1.6M Gates,33192 Cells,572MHz,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-400封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3E,逻辑门数量(Gates):1600000,...
T491A685M016AT
T491A685M016AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 3.5 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
BCR141WH6327XTSA1
BCR141WH6327XTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surfac...
T495X106M050AHE260
T495X106M050AHE260,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 10 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.26 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...
1.5KE100A-T
1.5KE100A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流...
AGLN125V5-ZCSG81
AGLN125V5-ZCSG81,现场可编程门阵列(FPGA),125K Gates,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,CSP-81封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO nano,逻辑门数量(Gates):125000,系统门数量(System Gates):...
TAJC226K016SNJ
TAJC226K016SNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 22 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1 Ohm;外形尺寸: 6*2.6*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10B472JB8NNND
CL10B472JB8NNND,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
EP2S30F484C5N
EP2S30F484C5N,现场可编程门阵列(FPGA),Stratix II Family,33880 Cells,609.76 MHz CMOS Technology,1.2 V,由Altera原厂生产,FC-FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Stratix II,逻辑单元数量(Cells):3388...
M39016/12-044M
M39016/12-044M,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,6VDC,120Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:6 V...
BFP720FESDH6327XTSA1
BFP720FESDH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.2 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:160@15mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:4.2 V; 最大集电极基极电压:...
M39016/27-019M
M39016/27-019M,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,61Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V;...
GP1UC10
GP1UC10,红外接收头,SHARP原厂生产,TOP-SMD3封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,体积小,抗光电干扰性能好,接收角度宽,价格实惠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
8735AY-01LFT
8735AY-01LFT,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Generator Single,品牌:IDT,封装:32LQFP,咨询购买请致电:0755-83897562