P6KA39AHE3
P6KA39AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.1 A; 最大反向漏电流: ...
DZT951-13
DZT951-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@2A@1V|75@5A@1V|10@10A@1V; 最大工作频率:120(Typ)...
LM293ADRG4
LM293ADRG4 ,双路差动比较器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2 路, 输出类型:Open Collector, 典型响应时间:1.3 us,典型电压增益:106.02 dB,最小单电源电压:2 V,最大单电源电压:36 V,最小双电源电压:±1 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-25 to...
XC6SLX100-2FG484I
XC6SLX100-2FG484I,现场可编程门阵列(FPGA),101261 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LX,逻辑单元数量(Cells):101261,逻辑单元数量(Units):10...
MAT14ARZ-R7
MAT14ARZ-R7,功率晶体管,品牌:ADI,封装:SOIC-14,参数:类型:NPN; 引脚数量:14; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA|200@1mA; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.06@...
DAC7625U/1KG4
DAC7625U/1KG4,12位四路电压输出数模转换器,由TI原厂生产,SOIC-28封装,参数为:分辨率:12 Bit,转换速率:100 Ksps,架构:R-2R,数字接口类型:Parallel,DAC通道数:4,每芯片输出:4,输出类型:Voltage,满量程误差:±8 LSB,积分非线性误差:±2 LSB,最大...
NRF24L01-WFR
NRF24L01-WFR,射频传感器,RF Transceiver GFSK 3V Wafer,品牌:Nordic,封装:Wafer,咨询购买请致电:0755-83897562
CDSOT23-T12LC
CDSOT23-T12LC,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:Bourns,封装:SOT-23-3,参数:类型:TVS; 引脚数量:3; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:25.9 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Disc kV; 最...
T495D336M035ATE200
T495D336M035ATE200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 33 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
1.5SMCJ120CA_R1_0000
1.5SMCJ120CA_R1_00001, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 1.5KW,品牌:Panjit,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.9 A; 最大...
TPS719285-285DRVT
TPS719285-285DRVT,双路 200mA 输出、低噪声、高 PSRR LDO 线性稳压器,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:2,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:6.5 V,最大输出电流:0.2|0.2 A,输出电压:2.85|2.85 V,最大功耗...
5CGXBC5C6F27C7N
5CGXBC5C6F27C7N,现场可编程门阵列(FPGA),77000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,FBGA-672封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone V GX,逻辑单元数量(Cells):77000,逻辑单元数量(Units):77000,寄存器数量(Registers):1...
BTB41-800BRG
BTB41-800BRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TOP-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:80 mA; 浪涌电流额定值:420 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@60A V; 重复峰值断态电流:0.005...
FMMTA14TA
FMMTA14TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.9@0.1...
P4KA18HE3
P4KA18HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14.5V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.1 A; 最大反向漏电流...
810252BKI-02LF
810252BKI-02LF,射频IC,锁向环,PLL Clock Multiplier Dual,品牌:IDT,封装:32VFQFPN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
ACTT4S-800C,118
ACTT4S-800C,118,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:DPAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:39 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.7@6A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:1...
T492D476K006RHT100
T492D476K006RHT100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 47 uF;电压: 6 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...
BC33725TF
BC33725TF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|100@300mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发...
A54SX72A-1CQ256
A54SX72A-1CQ256,现场可编程门阵列(FPGA),72K Gates,4024 Cells,250MHz,0.25um/0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,CQFP-256封装,详细参数为:所属产品系列:SX-A,逻辑门数量(Gates):72000,逻...