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M39016/29-053L

M39016/29-053L,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,26.5VDC,2KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:2...

M1A3P600-2PQG208I

M1A3P600-2PQG208I,现场可编程门阵列(FPGA),600K Gates,310MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):600000,系统门数量(System...

MPSA05G

MPSA05G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2...

SMCJ64CE3

SMCJ64CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大反向漏电...

F931E475MBA

F931E475MBA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 2.8 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...

OPA2317ID

OPA2317ID ,双路、低偏移、轨到轨 I/O 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.3 MHz,典型转换速率:0.15@5.5V V/us,轨至轨输入/输出,最大输入失调电压:0.09@5V mV,最大输入偏置电流:0.000275(Typ)@5.5V uA,典...

CWR19HC156KCEB

CWR19HC156KCEB,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: E型,参数:容值: 15 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 4 Ohm;外形尺寸: 5.08*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

CL05C180JB5NNNC

CL05C180JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562

LM324MX

LM324MX ,四路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14 N封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:0.5 V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V@0C to 70C mA,最大输入失调电压:7@5V mV,最大输入偏置电流:0.25@5V uA,典型输入噪声电压密度...

8T49N283B-009NLGI

8T49N283B-009NLGI,射频IC,锁向环,PLL Frequency Translator Dual 0.008MHz to 1000MHz,品牌:IDT,封装:56VFQFN,咨询购买请致电:0755-83897562

T520V477M2R5ATE012

T520V477M2R5ATE012,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-20,V型,参数:容值: 470 uF;电压: 2.5 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.012 Ohm;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:075...

LMV821M5

LMV821M5 ,5MHz、低电压、低功耗、RRO、5 MHz 运算放大器,TI原厂生产,SOT-23-5封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:5.6 MHz,典型转换速率:2@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.4@5V mA,最大输入失调电压:3.5@5V mV,最大输入偏置电流:0.1@5V...

M1A3PE3000L-FGG484M

M1A3PE3000L-FGG484M,现场可编程门阵列(FPGA),3M Gates,130nm (CMOS) Technology,1.2V/1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3EL,逻辑门数量(Gates):3000000,系统门数量(Syste...

T491A685K006AT7280

T491A685K006AT7280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 6 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...

DAC122S085CIMMX

DAC122S085CIMMX,具有轨至轨输出的12位微功耗双路数模转换器,由TI原厂生产,MSOP-10封装,参数为:分辨率:12 Bit,架构:Resistor-String,数字接口类型:Serial (3-Wire, SPI, QSPI, Microwire),DAC通道数:2,每芯片输出:2,输出类型:Vol...

IRF7807V

IRF7807V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

EP4SE230F29I3N

EP4SE230F29I3N,现场可编程门阵列(FPGA),175750 Cells,40nm Technology,0.9V,由Altera原厂生产,FC-FBGA-1152封装,详细参数为:所属产品系列:Stratix IV GX,逻辑单元数量(Cells):175750,逻辑单元数量(Units):175750,...

XC3S50AN-4TQ144I

XC3S50AN-4TQ144I,现场可编程门阵列(FPGA),50K Gates,1584 Cells,667MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,TQFP-144封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3AN,逻辑门数量(Gates):50000,逻辑单元数量(Cells...

BDX43

BDX43,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:TO-126-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@500mA...

SMF12A-HE3-08

SMF12A-HE3-08,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:Vishay,封装:DO-219AB-2,参数:类型:TVS; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:19.9 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±30@Air Gap|±30@Cont...