DMB53D0UDW-7
DMB53D0UDW-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB53D0UDW; ...
MAX2660EUT-T
MAX2660EUT-T,高低变化混合器,Up/Down Conv Mixer 3.3V/5V 2.5GHz,品牌:Maxim,封装:6SOT-23,咨询购买请致电:0755-83897562
R574493405
R574493405,射频开关,RF Switch SP4T 0MHz to 18GHz 60dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
J412DD-9WL
J412DD-9WL,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,9VDC,220Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:42.9 mA; 线圈电阻:2...
TAWD107M010R0500
TAWD107M010R0500,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 100 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.5 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
SMCJ5662
SMCJ5662, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏...
5CGXFC5C6F23C6NFA
5CGXFC5C6F23C6NFA,现场可编程门阵列(FPGA),77000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone V GX,逻辑单元数量(Cells):77000,逻辑单元数量(Units):77000,寄存器数量(Registers)...
INA129-EP
INA129-EP,增强型产品精密低功耗仪器放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
P6SMB440AHE3_A/I
P6SMB440AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 376V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1...
LP3856ES-5.0/NOPB
LP3856ES-5.0/NOPB,3A 快速超低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:TO263-6,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.5 V,最大输入电压:7 V,最大输出电流:3A,输出电压:5 V,典型压差电压@电流:0.039@300mA|0.39@3A V...
IRMS6452T
IRMS6452T,红外数据头,由INFINEON原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C222JEFNNNE
CL21C222JEFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 nF,电压250 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
XC4005-5PQ208C
XC4005-5PQ208C,现场可编程门阵列(FPGA),5K Gates,196 Cells,111MHz,CMOS Technology,5V,由Xilinx原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:XC4000,逻辑门数量(Gates):5000,逻辑单元数量(Cells):196,逻辑单元数量...
LMV842MM/NOPB
LMV842MM/NOPB ,双路 CMOS 输入、RRIO、宽电源范围四路运算放大器,TI原厂生产,MSOP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:4.5 MHz,典型转换速率:2.5@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:3@5V mA,最大输入失调电压:0.5@5V mV,最大输入偏置电流:...
IRF7606
IRF7606,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=150.0mOhms,Qg Typ=20.0nC,Rth(JC)=70 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致...
TLV2472AQDRG4Q1
TLV2472AQDRG4Q1 ,汽车类 600uA/通道 2.8MHz 轨至轨输入/输出高驱动运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:2.8 MHz,典型转换速率:1.5@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:1.8@5V mA,最大输入失调电压:1.6@5V ...
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MAX3205EABL-T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:UCSP-9,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:9; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc...
2308A-4DCGI
2308A-4DCGI,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Multiplier Single 10MHz to 133MHz,品牌:IDT,封装:16SOIC N,咨询购买请致电:0755-83897562
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T498A105K035ATE10K,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 1 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 10 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 150 ℃.咨询购买请致电:0755-83...