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BR246-1000A2-48V-035

BR246-1000A2-48V-035L,继电器,DPDT,10A,48V,1KOhm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:48 mA; 线圈电阻:1 KOhm; 最大额定AC交流电压:208 ...

1.5KE300CA-T

1.5KE300CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 256V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 5...

T495D227K010ZTE10072

T495D227K010ZTE1007280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 220 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:...

MSC7119VM1200

MSC7119VM1200,品牌:Freescale,封装:MAP-BGA-400,详细参数:最大速度:300 MHz,RAM大小:256 KB,设备每秒百万指令:300 MIPS,数据总线宽度:16 Bit,设备输入时钟速度:300 MHz,工作电源电压:1.2|2.5|3.3 V,抗辐射:No,库存实时更新.咨询购...

XC6SLX45-2FG676I

XC6SLX45-2FG676I,现场可编程门阵列(FPGA),43661 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-676封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LX,逻辑单元数量(Cells):43661,逻辑单元数量(Units):43661...

2SB1695KT146

2SB1695KT146,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:270@100mA@2V; 最大工作频率:280(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.37@50mA@...

G2RL248DC

G2RL248DC,继电器,DPDT,8A,48VDC,5.358KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:8.96 mA; 线圈电阻:5.358 KOhm; 触点材质:Silver(Cadmium Free)...

DCX124EK-7-F

DCX124EK-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SC-74R-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...

TAJY227K006RNJ

TAJY227K006RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-20,Y型,参数:容值: 220 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...

MGA-31689-BLKG

MGA-31689-BLKG,射频运放芯片,RF Amp Chip Single GP 3GHz 5.5V(3+Tab),品牌:Avago,封装:4SOT-89,咨询购买请致电:0755-83897562

AZ23C7V5

AZ23C7V5,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=7.5V,Min=7V,Max=7.9V,Zzt=7欧姆,Zzk=50欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SMCJ6042A

SMCJ6042A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82 A; 最大反向漏电流:...

MSD601-RT1G

MSD601-RT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:210@2mA@10V|90@100mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@10mA@100mA V; 最大集...

TPSB475K020R0750

TPSB475K020R0750,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.75 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...

TLC27M2CP

TLC27M2CP ,LinCMOS(TM) 精密二路运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.525 MHz,典型转换速率:0.43@5V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:10@5V mV,最大输入偏置电流:0.0000006(Typ)@5V uA,典型输入噪...

U1AFS1500-FG256

U1AFS1500-FG256,现场可编程门阵列(FPGA),1.5M Gates,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Fusion,逻辑门数量(Gates):1500000,系统门数量(System Gates):15...

T495E107K025AHE100

T495E107K025AHE100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7.3 x 6 x 3.6,参数:容值: 100 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*3.6*6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:075...

TLV2451CDBVR

TLV2451CDBVR ,单路微功耗轨至轨输入/输出运算放大器,TI原厂生产,SOT-23-5封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:0.22 MHz,典型转换速率:0.11@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:0.042@5V mA,最大输入失调电压:1.5@±2.5V mV,最大输入偏置电流:...

T495C226M010ATE290

T495C226M010ATE290,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 22 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.29 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...

RJH60F7ADPK-00#T0

RJH60F7ADPK-00#T0,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电...