8741004AGI
8741004AGI,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:24TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
THS4302RGTR
THS4302RGTR ,宽带固定增益放大器,TI原厂生产,VQFN-16 EP封装,参数为:1 路固定增益放大器, 典型带宽增益:12 MHz, 最低CMRR值:13.98(Typ) dB,电源类型:Single|Dual,最小单电源电压:3 V,最大单电源电压:5 V,最小双电源电压:±1.5 V,最大双电源电压:...
BD13610STU
BD13610STU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:63@150mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@500mA V; 最大集电极基极电...
PD60T
PD60T,光电二极管,由SHARP原厂生产,TOP-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,贴片2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MSC8144ESVT800A
MSC8144ESVT800A,品牌:Freescale,封装:FCBGA-783,详细参数:最大速度:800 MHz,设备每秒百万指令:800 MIPS,数据总线宽度:32 Bit,设备输入时钟速度:800 MHz,工作电源电压:1|1.2|1.25|1.8|2.5|3.3 V,抗辐射:No,库存实时更新.咨询购买请...
VS-ST1230C12K0
VS-ST1230C12K0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1745 A; 浪涌电流额定值:35100 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.62@4000A...
LM339AMX
LM339AMX ,四路差动比较器,TI原厂生产,SOIC-14 N封装,参数为:4 路, 输出类型:Open Collector, 典型响应时间:1.3 us,典型电压增益:106.02 dB,最小单电源电压:2 V,最大单电源电压:36 V,最小双电源电压:±1 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:0 to ...
TPS79927QDRVRQ1
TPS79927QDRVRQ1,200mA,2.7 V输出,低瞬态电流，超低噪声，高 PSRR 低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:6.5 V,最大输出电流:0.2 A,输出电压:2.7 V,最大功耗:154...
TLV2452IDGKG4
TLV2452IDGKG4 ,双路微功耗轨至轨输入/输出运算放大器,TI原厂生产,VSSOP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.22 MHz,典型转换速率:0.11@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:0.084@5V mA,最大输入失调电压:1.5@±2.5V mV,最大输入偏置电流:...
SMCJ6051
SMCJ6051, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 31.5 A; 最大反向漏电流...
ST7FOXK2B6
ST7FOXK2B6,单片机，微控制器，8MHz，8位，8KB闪存，384 RAM内存,品牌:ST,封装:32-SDIP,参数:MCU,8MHz,8Bit,8KB Flash,384 RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
BU406TU
BU406TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:7 A; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.5A@5A V; 最大集电极基极电压:400 V; 工作...
T491B224M050AT
T491B224M050AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 0.22 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 14 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
BC638
BC638,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A42MX24-2PQ208I
A42MX24-2PQ208I,现场可编程门阵列(FPGA),36K Gates,912 Cells,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):36000,逻辑单元数量(Cells)...
M39016/16-029M
M39016/16-029M,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,36VDC,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:36 V; 触点材质:Precious Metal/G...
SL28PCIE25ALI
SL28PCIE25ALI,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Generator Single 100MHz,品牌:Silicon,封装:32QFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
XC6SLX45T-2FGG484CES
XC6SLX45T-2FGG484CES9982,现场可编程门阵列(FPGA),43661 Cells,45nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LXT,逻辑单元数量(Cells):43661,逻辑单元数量(Units):43...
G6SU2DC3BYOMR
G6SU2DC3BYOMR,继电器,DPDT,2A,3VDC,品牌:Omron,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:3 V; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度...
ZXTP19060CFFTA
ZXTP19060CFFTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23F-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V|160@1A@2V|30@4A@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz...