HSP061-2P6
HSP061-2P6,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-666-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:18(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8...
NSVMUN5113DW1T3G
NSVMUN5113DW1T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
ADC1173CIMTCX
ADC1173CIMTCX,8位,3 V、15MSPS、33mW A/D 转换器,由TI原厂生产,TSSOP-24封装,参数为:分辨率:8 Bit,采样速率:15 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,是否差分输入:No,数字接口类型:Parallel,输入类型:Voltage,输入电压极性:Unipolar,信...
TPS71550DCKRG4
TPS71550DCKRG4,50mA 5.0V 高输入电压 LDO 稳压器,品牌:TI,封装:SC70-5,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.5 V,最大输入电压:24 V,最大输出电流:0.05 A,输出电压:5 V,最大功耗:320 mW,典型压差电压@电流...
MF1S5031XDUD/V1V
MF1S5031XDUD/V1V,其它射频IC,Mainstream Contactless Smart Card FFC Wafer,品牌:NXP,封装:Wafer,咨询购买请致电:0755-83897562
T491E476M035AH
T491E476M035AH,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7260-38,E型,参数:容值: 47 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.5 Ohm;外形尺寸: 7.3*3.6*6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
S9015
S9015,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=450mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=1000,Vce(sat)=0.3V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMCJ51CAE3
SMCJ51CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.2 A; 最大反向漏...
F1320NBGI
F1320NBGI,射频IC,调制解调器,Quadrature Demod,品牌:IDT,封装:36VFQFPN,咨询购买请致电:0755-83897562
IMT18T110
IMT18T110,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V; 最大工作频率:260(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@200m...
VS-50RIA10
VS-50RIA10,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-65-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:50 A; 浪涌电流额定值:1490 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 峰值通态电压:1.6@157A V; 重复峰值断态电流:15...
ESDA5V3SC5
ESDA5V3SC5,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:ST Micro,封装:SOT-23-5,参数:类型:TVS; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:25@Air Gap/25@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.3 V; 最大漏电...
1SMB11CAT3G
1SMB11CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电...
CL10C5R1CB8NNNC
CL10C5R1CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.1 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
TPS721A
TPS721A,光电二极管,由TOSHIBA原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J422DD-5WL
J422DD-5WL,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,48Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电...
2SD1207T
2SD1207T,功率晶体管,品牌:ON,封装:Case-3 MP,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@1A V;...
ST72F260G1M6
ST72F260G1M6,单片机，微控制器，16MHz，8位，4KB闪存，256 RAM内存,品牌:ST,封装:28-SOIC,参数:MCU,16MHz,8Bit,4KB Flash,256 RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
TLV2461A-Q1
TLV2461A-Q1,具有关断状态的汽车类低功耗轨至轨输入/输出运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EPF10K200SBC356-2
EPF10K200SBC356-2,现场可编程门阵列(FPGA),200K Gates,9984 Cells,200MHz,CMOS Technology,2.5V,由Altera原厂生产,BGA-356封装,详细参数为:所属产品系列:FLEX 10KE,逻辑门数量(Gates):200000,逻辑单元数量(Cells...