2N6401G
2N6401G,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:10 A; 浪涌电流额定值:160 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 峰值通态电压:1.7@32A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; ...
DTC014TUBTL
DTC014TUBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-323FL-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
SMBJ300CE3
SMBJ300CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Sur...
ESDA14V2SC6
ESDA14V2SC6,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-6,参数:类型:TVS; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:25@Air Gap/25@Contact Disc kV; 最大工作电压:...
A54SX16-CQ208
A54SX16-CQ208,现场可编程门阵列(FPGA),16K Gates,924 Cells,205MHz,0.35um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,CQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:SX,逻辑门数量(Gates):16000,逻辑单元数量(Cel...
T495X157K006AHE100
T495X157K006AHE100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 150 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
SN74HC132DR
SN74HC132DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
CWR19FK225KBAA
CWR19FK225KBAA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: A型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 12 Ohm;外形尺寸: 2.54*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
ADS1243IPWT
ADS1243IPWT,24位ADC，具有8通道、PGA 1:128、50/60Hz 槽口和0.6mW 功耗,由TI原厂生产,TSSOP-20封装,参数为:分辨率:24 Bit,采样速率:15 sps,ADC数量:1,模拟输入数量:8|4,架构:Delta-Sigma,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial ...
T491V107K006AT
T491V107K006AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-20,V型,参数:容值: 100 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.7 Ohm;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
T409B225K010PCT250
T409B225K010PCT250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: B型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 8 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
OPA861ID
OPA861ID ,宽带运算跨导放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1 路跨导放大器, 最低CMRR值:8(Typ) dB,电源类型:Single|Dual,最小单电源电压:4 V,最大单电源电压:12.6 V,最小双电源电压:±2 V,最大双电源电压:±6.3 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实...
M2GL010-1VF400
M2GL010-1VF400,现场可编程门阵列(FPGA),12084 Cells,65nm Technology,3.3V,由Microsemi原厂生产,FPBGA-400封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO2,逻辑单元数量(Cells):12084,逻辑单元数量(Units):12084,典型操作电源电压:3...
BAR6502VH6327XTSA1
BAR6502VH6327XTSA1,PIN二极管开关,品牌:Infineon,封装:SC-79-2,参数:配置:Single; 最大反向电压:30 V; 最大正向电流:100 mA; 最大正向电压:1 V; 最大二极管电容:0.8@3V pF; 最大功率耗散:250 mW; 典型载流寿命时间:0.08 us; 安装方...
TPS73030DBVT
TPS73030DBVT,低噪声、高 PSRR、射频 200mA,3V输出,低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.2 A,输出电压:3 V,最大功耗:560 mW,...
LM2901QDRQ1
LM2901QDRQ1 ,汽车类四路差动比较器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4 路, 输出类型:Open Collector, 典型响应时间:1.3 us,典型电压增益:100 dB,最小单电源电压:2 V,最大单电源电压:36 V,最小双电源电压:±1 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-40 ...
M39016/15-080M
M39016/15-080M,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,18VDC,880Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:18 V; 线圈电流:20.45 mA;...
DSS5140V-7
DSS5140V-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@100mA@5V|250@500mA@5V|160@1A@5V; 最大工作频率:1...
T492A105M010BHT250
T492A105M010BHT250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 1 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 10 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
IRG4BC30KPBF
IRG4BC30KPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...