T495X477M006AHE050
T495X477M006AHE050,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 470 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.05 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
MAX2613ETA+T
MAX2613ETA+T,射频运放芯片,RF Amp Chip Single GP 4GHz 5.25V,品牌:Maxim,封装:8TDFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
OPA2344UA/2K5
OPA2344UA/2K5 ,MicroAmplifier(TM) 系列低功耗、单电源、轨至轨运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:0.8@5.5V V/us,轨至轨输入/输出,最大输入失调电压:1@5.5V mV,最大输入偏置电流:0.0000...
BCR08AM-12A#B00
BCR08AM-12A#B00,可控硅整流器,品牌:Renesas,封装:TO-92-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 浪涌电流额定值:8 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:2@1.2A V; 重复峰值断态电流:1 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:...
QED222
QED222,红外发射管,FAIRCHILD原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FMMT449
FMMT449,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SuperSOT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:150(M...
XC5VSX35T-3FF665C
XC5VSX35T-3FF665C,现场可编程门阵列(FPGA),34816 Cells,65nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-665封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-5 SXT,逻辑单元数量(Cells):34816,逻辑单元数量(Units):34816...
R573333600
R573333600,射频开关,RF Switch SP6T 0MHz to 3GHz 80dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
TAJS156M006RNJ
TAJS156M006RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-12,S型,参数:容值: 15 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 4 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.2*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...
OPA659IDRBT
OPA659IDRBT ,650MHz 单位增益稳定 JFET 输入放大器,TI原厂生产,VSON-8 EP封装,参数为:1通道,电压反馈放大器,典型增益带宽:350 MHz,典型转换速率:2550@±6V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:5@±6V mV,最大输入偏置电流:0.00005@±6V uA,典型...
SMB8J26CAHE3
SMB8J26CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
Z0107NA,412
Z0107NA,412,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-92-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:10 mA; 浪涌电流额定值:8.5 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.6@1A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:1.3 ...
AMC1203PSA
AMC1203PSA,1位10MHz 2 阶隔离式 Δ-Σ 调制器,由TI原厂生产,SOP-8封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:40 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:Delta-Sigma,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial,输入类型:Voltage,输入电压极性:Bipol...
PESD5V0S1BB,115
PESD5V0S1BB,115,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:NXP,封装:SOD-523-2,参数:类型:TVS; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM kV; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:0.1 ...
TACL225M010XTA
TACL225M010XTA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 1608-10,L型,参数:容值: 2.2uF;电压: 10V;公差精度: 20%;外形尺寸: 1.6 X 0.85 X 0.85mm;等效串联电阻: 7.5 Ohm.咨询购买请致电:0755-83897562
F2912NCGI
F2912NCGI,射频开关,RF Switch Dual SPDT 0Hz to 6000MHz 21dB,品牌:IDT,封装:20VFQFPN,咨询购买请致电:0755-83897562
LMH3401
LMH3401,5GHz、超宽带、全差动放大器,TI原厂生产,UQFN-14封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5SMC8.2CA-E3
1.5SMC8.2CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.02V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流:...
CC1111F32RSPG3
CC1111F32RSPG3,其它射频IC,System on Chip QFN Tray,品牌:TI,封装:36QFN,咨询购买请致电:0755-83897562
LMV7235M7X
LMV7235M7X ,具有漏极开路/推挽式输出的 75 nsec、超低功耗、低压、轨到轨输入比较器,TI原厂生产,SC-70-5封装,参数为:1 路, 轨至轨输入, 最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:5.5 V,温度范围:-40 to 125 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562