BU1210-E3/51
BU1210-E3/51,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 BU,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:1000 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:3.4 A; 峰值正向电压:1.05@6A V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安...
CAN1011K
CAN1011K,凹槽型开关,由PANASONIC原厂生产,GAP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BT137S-600D,118
BT137S-600D,118,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:DPAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:10 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:...
TLC7528IPWG4
TLC7528IPWG4,8位，0.1us 双路 MDAC，并行输入，DSP 快速控制信号，简单微 I/F,由TI原厂生产,TSSOP-20封装,参数为:分辨率:8 Bit,转换速率:10 Msps,架构:R-2R,数字接口类型:Parallel,DAC通道数:2,每芯片输出:2,输出类型:Current,满量程误差:...
MMBTH10-4LT1G
MMBTH10-4LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最小DC直流电流增益:120@4mA@10V; 最大工作频率:800(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.4mA@4mA V; 最大集电极基极电压:3...
LM358P
LM358P ,双路运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.7 MHz,典型转换速率:0.3@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V@0C to 70C mA,最大输入失调电压:7@30V mV,最大输入偏置电流:0.25@5V uA,典型输入噪声...
2SD1815
2SD1815,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=120V,BVceo=100V,BVebo=6V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MAX2370ETM+
MAX2370ETM+,射频传感器,RF Transmitter FM,品牌:Maxim,封装:48TQFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
OPA2170AIDCUR
OPA2170AIDCUR ,采用微型封装的 36V、微功耗、轨至轨输出、双路通用运算放大器,TI原厂生产,VSSOP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1.2 MHz,典型转换速率:0.4 V/us,轨至轨输出,最大输入失调电压:1.8 mV,最大输入偏置电流:0.000015 uA,典型输入噪声电压...
TAJD686K006RNJ
TAJD686K006RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 68 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
IRF6641
IRF6641,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=59.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LP3871EMPX-1.8/NOPB
LP3871EMPX-1.8/NOPB,0.8A 快速超低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:SOT223-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.5 V,最大输入电压:7 V,最大输出电流:0.8 A,输出电压:1.8 V,典型压差电压@电流:0.024@80mA|0.24@800mA...
OPA2353UA
OPA2353UA ,MicroAmplifier(TM) 系列高速单电源轨至轨运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:44 MHz,典型转换速率:22@5.5V V/us,轨至轨输入/输出,最大输入失调电压:8@5V mV,最大输入偏置电流:0.00001@5.5V uA...
T495X227M010ATE100
T495X227M010ATE100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 220 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...
BZW04-10HE3
BZW04-10HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流...
THS3125
THS3125,具有关断状态的双路高输出电流的 120MHz 放大器,TI原厂生产,HTSSOP-14,SOIC-14封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N6171A
1N6171A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流...
TPSE107K020S0150
TPSE107K020S0150,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-43,E型,参数:容值: 100 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.15 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
A42MX36-CQ256M
A42MX36-CQ256M,现场可编程门阵列(FPGA),54K Gates,1184 Cells,79MHz/131MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,CQFP-256封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):54000,...
LM6132BIMX
LM6132BIMX ,双路低功耗 10 MHz 轨至轨 I/O 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:10 MHz,典型转换速率:14@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:0.8@5V mA,最大输入失调电压:6@5V mV,最大输入偏置电流:0.18@...