SMDA05C-7E3/TR7
SMDA05C-7E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 5V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电...
DDC143EH-7
DDC143EH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
M1A3PE3000L-1FGG896I
M1A3PE3000L-1FGG896I,现场可编程门阵列(FPGA),3M Gates,892.86MHz,130nm (CMOS) Technology,1.2V,由Microsemi原厂生产,FBGA-896封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3EL,逻辑门数量(Gates):3000000,系统门数量...
SG2803DW
SG2803DW,三极管,达林顿管,品牌:Microsemi,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500...
TPMD227M010R0035
TPMD227M010R0035,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 220 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.035 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...
LM224KANE4
LM224KANE4 ,四路运算放大器,TI原厂生产,PDIP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.2 MHz,典型转换速率:0.5@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:3@30V mV,最大输入偏置电流:0.08@5V uA,典型输入噪声电压密度:35@±15V nV/rtHz,最...
PI3V512QE
PI3V512QE,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Driver Single 60MHz to 200MHz,品牌:Pericom,封装:48TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
ADS8517IBDWR
ADS8517IBDWR,低功耗16位，200ksps，+/- 10V双极输入SAR ADC,带有串/并接口,由TI原厂生产,SOIC-28封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:200 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Parallel|Serial (...
KTD863
KTD863,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.5V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSS40302PDR2G
NSS40302PDR2G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|180@1A@2V|180@2A@2V; 最大工作频率:1...
LP5951MF-3.3
LP5951MF-3.3,微功耗 150mA 低压降 CMOS 电压稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.8 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:3.3 V,精度:±2 %,最大静态电流:0.055 mA,工作温度...
TLV2262IP
TLV2262IP ,二路轨至轨低压低功耗运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.71 MHz,典型转换速率:0.55@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.5@5V mA,最大输入失调电压:2.5@±2.5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@±2.5V...
MDB10SV
MDB10SV,二极管,整流桥堆,品牌:Fairchild,封装:Micro DIP-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:1000 V; 峰值反向电流:10 uA; 峰值平均正向电流:1.2 A; 峰值正向电压:1.015 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装...
BZA462A,115
BZA462A,115,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:TVS; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15 kV; 最大工作电压:6.51 V; 最大漏电流:0.7 uA; 电容值:200 pF; 最低工作温度:...
VS-26MB140A
VS-26MB140A,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:D-34-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:1400 V; 峰值反向电流:10 uA; 峰值平均正向电流:25 A; 峰值正向电压:1.25@40A V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式...
LP2989AIMMX-3.0/NOPB
LP2989AIMMX-3.0/NOPB,微功耗/低噪声，500 mA 超低压降稳压器,品牌:TI,封装:MSOP-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.1 V,最大输入电压:16 V,最大输出电流:0.5 A,输出电压:3 V,典型压差电压@电流:0.001@0.1mA|0.15@...
HOA901-11
HOA901-11,凹槽型开关,由HONEYWELL原厂生产,GAP3-DIP6封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,6引脚内带放大电路,槽宽4mm,光缝宽0.3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AGLN060V2-ZVQG100I
AGLN060V2-ZVQG100I,现场可编程门阵列(FPGA),60K Gates,130nm (CMOS) Technology,1.2V/1.5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO nano,逻辑门数量(Gates):60000,系统门数量(System ...
TL751L12CD
TL751L12CD,具有关断功能的低压降 (LDO) Pnp 小电流电压稳压器,0.15A/12V,品牌:TI,封装:SOIC-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:13 V,最大输入电压:26 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:12 V,精度:±4 %,线性调整:40 mV,...
B45196E2156M309
B45196E2156M309,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 15 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562