TLV3011-EP
TLV3011-EP,电压基准的军用增强型产品纳瓦级功耗 1.8V Sot23 比较器,TI原厂生产,SOT-23-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LMV225URX/NOPB
LMV225URX/NOPB,其它射频IC,RF Power Detector for CDMA and WCDMA,品牌:TI,封装:4uSMD,咨询购买请致电:0755-83897562
UA78L05AID
UA78L05AID,100mA 固定 5V 正电压稳压器,品牌:TI,封装:SOIC-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:7 V,最大输入电压:20 V,最大输出电流:0.1 A,输出电压:5 V,典型压差电压@电流:1.7@40mA V,精度:±5 %,线性调整:150 mV,负载...
DF2B12M1CT(TPL3)
DF2B12M1CT(TPL3),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:CST-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:18(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact ...
BC807-40
BC807-40,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
BTA12-800BW3G
BTA12-800BW3G,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:50 mA; 浪涌电流额定值:105 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@17A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触...
SMDA03C-7
SMDA03C-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 2...
TSOP36156TR
TSOP36156TR,红外接收头,VISHAY原厂生产,TOP-SMD4封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,体积小,抗光电干扰性能好,接收角度宽,价格实惠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
840004AG-11LF
840004AG-11LF,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:20TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
TPS7A1601DRBR
TPS7A1601DRBR,可调节电压、60V输入、0.1A,1.2V至18.5V输出,低 IQ、低压线性稳压器,品牌:TI,封装:SON-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:3 V,最大输入电压:60 V,最大输出电流:0.1 A,输出电压:1.2 to 18.5 V,典型压差电压@...
TPSY476M016R0250
TPSY476M016R0250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-20,Y型,参数:容值: 47 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.25 Ohm;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
BTA316X-800B0,127
BTA316X-800B0,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:60 mA; 浪涌电流额定值:150 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.5@18A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极...
M2S025TS-1FGG484M
M2S025TS-1FGG484M,现场可编程门阵列(FPGA),27696 Cells,65nm Technology,1.2V,由Microsemi原厂生产,FPBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:SmartFusion2,逻辑单元数量(Cells):27696,逻辑单元数量(Units):27696,典...
LT1013DDG4
LT1013DDG4 ,双路精密运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型转换速率:0.4@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1@5V mA,最大输入失调电压:0.95@5V mV,最大输入偏置电流:0.05@5V uA,典型输入噪声电压密度:24@±15V nV/rtH...
T494V157K004AT
T494V157K004AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-20,V型,参数:容值: 150 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
XC7A200T-2FB676C
XC7A200T-2FB676C,现场可编程门阵列(FPGA),215360 Cells,28nm Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-676封装,详细参数为:所属产品系列:Artix-7,逻辑单元数量(Cells):215360,逻辑单元数量(Units):134600,寄存器数量(Reg...
MMDT2222V-7
MMDT2222V-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@100uA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@...
T495D476M016AHE100
T495D476M016AHE100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 47 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
TACK475M002PTA
TACK475M002PTA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 1005-07,K型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 2 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 15 Ohm;外形尺寸: 1*0.5*0.5 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
P4SMA220AHE3
P4SMA220AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 185V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.9 A; 最大反向漏电流: 1 ...