LT1013AMJGB
LT1013AMJGB ,双路精密运算放大器,TI原厂生产,CDIP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型转换速率:0.4@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:0.9@5V mA,最大输入失调电压:0.25@5V mV,最大输入偏置电流:0.035@5V uA,典型输入噪声电压密度:24@±15V nV...
SG-248
SG-248,凹槽型开关,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
M1A3P400-1FGG484
M1A3P400-1FGG484,PROASIC3,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLV2254AIDG4
TLV2254AIDG4 ,四路低电压轨至轨运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:0.2 MHz,典型转换速率:0.12@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.25@5V mA,最大输入失调电压:0.85@±2.5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@±2...
G6D1AASIDC9
G6D1AASIDC9,继电器,SPST-NO,5A,9VDC,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:9 V; 触点材质:Silver; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-25 to ...
BCV47E6327HTSA1
BCV47E6327HTSA1,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.5A@5V|10000@100mA@5V|4000@10mA@5V|2...
DDTC123ECA-7-F
DDTC123ECA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@20mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
J420D-5WL
J420D-5WL,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,61Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流...
TLV7211ID
TLV7211ID ,具有轨至轨输入和推挽输出的单路 CMOS 比较器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1 路, 轨至轨输入, 最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:15 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C332JB8NFNC
CL10C332JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
TPS77015DBVR
TPS77015DBVR,10V输入、50mA、1.5 V输出,低 Iq、低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.05 A,输出电压:1.5 V,最大功耗:555 mW,典型压差电压@电流...
A40MX04-1PLG44M
A40MX04-1PLG44M,现场可编程门阵列(FPGA),6K Gates,547 Cells,96MHz/160MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,PLCC-44封装,详细参数为:所属产品系列:40MX,逻辑门数量(Gates):6000,逻辑单...
STM32L053C8T7
STM32L053C8T7,单片机，微控制器，32MHz，32位，64KB闪存，8K RAM内存,品牌:ST,封装:48-LQFP,参数:MCU,32MHz,32Bit,64KB Flash,8K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
P6KE15CARL
P6KE15CARL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 147 A; 最大反向漏电流: 500 uA; 最...
A2F500M3G-1FGG256
A2F500M3G-1FGG256,现场可编程门阵列(FPGA),500K Gates,6000 Cells,350MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:SmartFusion,逻辑门数量(Gates):50000...
CL21C330JBANFNC
CL21C330JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
5CGXFC9E6F31C7NFA
5CGXFC9E6F31C7NFA,现场可编程门阵列(FPGA),301000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,FBGA-896封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone V GX,逻辑单元数量(Cells):301000,逻辑单元数量(Units):301000,寄存器数量(Registe...
RPM7036-H5R
RPM7036-H5R,红外接收头,ROHM原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,体积小,抗光电干扰性能好,接收角度宽,价格实惠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM15T39CA-E3
SM15T39CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 1...
NE68130-A
NE68130-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:40@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:150...