EPF10K10QI208-4
EPF10K10QI208-4,现场可编程门阵列(FPGA),10K Gates,576 Cells,125MHz,CMOS Technology,5V,由Altera原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:FLEX 10K,逻辑门数量(Gates):10000,逻辑单元数量(Cells):576,逻...
IRFS4510
IRFS4510,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
T409D475J010RCT250
T409D475J010RCT250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: D型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 5%;等效串联电阻: 4.5 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
IRF530N
IRF530N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A42MX16-2VQ100
A42MX16-2VQ100,现场可编程门阵列(FPGA),24K Gates,608 Cells,129MHz/215MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):24000,...
BC857BDW1T1G
BC857BDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10...
T429X156K035DC4252
T429X156K035DC4252,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: X型,参数:容值: 15 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.19 Ohm;外形尺寸: 6.93*2.74*5.41 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
LM2903N
LM2903N ,低功耗低偏移电压双路比较器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2 路, 输出类型:Open Collector, 典型响应时间:1.5 us,典型电压增益:100 dB,最小单电源电压:2 V,最大单电源电压:36 V,最小双电源电压:±1 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-40 to...
G6JU2FLYDC45
G6JU2FLYDC45,继电器,DPDT,1A,4.5VDC,204.3Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Ultra-Compact and Slim Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 线圈电流:22 mA; 线圈电阻:204.3 Ohm; 触点材质:Si...
TAZA335K006CBSZ0000
TAZA335K006CBSZ0000,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: A型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 6 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 12 Ohm;外形尺寸: 2.54*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...
TPIC44L02DB
TPIC44L02DB,4通道串行和并行低侧前置FET驱动器,品牌:TI,封装:SSOP-24,参数:分类:4-Channel Serial and Parallel Low-Side Pre-Fet Driver; 引脚数目:24; 工作温度:-40 to 125 ℃; 所属系列:TPIC44L01; 安装方式:Su...
XC6VLX550T-L1FF1760I
XC6VLX550T-L1FF1760I,现场可编程门阵列(FPGA),549888 Cells,40nm (CMOS) Technology,0.9V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1760封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-6 LXT,逻辑单元数量(Cells):549888,逻辑单元数量(Unit...
PBSS3515M,315
PBSS3515M,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|150@100mA@2V|90@500mA@2V; 最大工作频率:280(Typ) MHz;...
EP1C20F324C8N
EP1C20F324C8N,现场可编程门阵列(FPGA),20060 Cells,275.03MHz,0.13um (CMOS) Technology,1.5V,由Altera原厂生产,FBGA-324封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone,逻辑单元数量(Cells):20060,逻辑单元数量(Units):2...
CWR29HK155KBBZ
CWR29HK155KBBZ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: B型,参数:容值: 1.5 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3.2 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
G6S2FDC24BYOMR
G6S2FDC24BYOMR,继电器,DPDT,2A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.3 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Silver/Gold Clad;...
SM6T75AY
SM6T75AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
TLC3704IPWG4
TLC3704IPWG4 ,双路、微功耗、推挽输出 LinCMOS(TM) 电压比较器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4 路, 输出类型:Push-Pull, 典型响应时间:2.7 us,最小单电源电压:3 V,最大单电源电压:16 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:07...
OP07CDG4
OP07CDG4 ,低偏移电压运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:0.6 MHz,典型转换速率:0.3@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:0.15@±15V mV,最大输入偏置电流:0.007@±15V uA,典型输入噪声电压密度:10.5@±15V ...
F951C106MQAAQ2
F951C106MQAAQ2,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: Q型,参数:容值: 10 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 3 Ohm;外形尺寸: 3.2*0.8*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562