TPS79918DDCR
TPS79918DDCR,200mA,输出,低瞬态电流，超低噪声，高 PSRR 低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:SOT5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:6.5 V,最大输出电流:0.2 A,输出电压:1.8 V,精度:±1 %,线性调整:0.02(Typ...
T495D686K006ATE175
T495D686K006ATE175,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 68 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.175 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:07...
P6KE130CA
P6KE130CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 111V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电流: 5 ...
OPA1013CN8G4
OPA1013CN8G4 ,精密单电源双路运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型转换速率:0.35@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:0.45@5V mV,最大输入偏置电流:0.05@5V uA,典型输入噪声电压密度:28@±15V nV/rtHz,最低CMRR值...
BST52,135
BST52,135,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@5...
EE2-3ND
EE2-3ND,继电器,DPDT,2A,3VDC,45Ohm,品牌:KEMET,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:66.66 mA; 线圈电阻:45 Ohm; 触点材质:Silver/ Gold; 最大额定AC交流电压:250 V...
A54SX72A-1FG256M
A54SX72A-1FG256M,现场可编程门阵列(FPGA),72K Gates,4024 Cells,250MHz,0.25um/0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:SX-A,逻辑门数量(Gates):72000,...
LP2995MRX
LP2995MRX,LDO稳压器,1.5A,品牌:TI,封装:PSOP-8 EP,详细参数为:输出数:1,最小输入电压:2.2 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:1.5 A,负载调节:0.5(Typ) %,最大静态电流:0.4 mA,参考电压:1.235 V,工作温度:0 to 125℃,封装类型:Surfa...
ADS8344NB/1K
ADS8344NB/1K,16位8信道串行输出采样模数转换器,由TI原厂生产,SSOP-20封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:100 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:8|4,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial (4-Wire),输入类型:Voltage,输入电压极性:Un...
A54SX08A-1FG144
A54SX08A-1FG144,现场可编程门阵列(FPGA),8K Gates,512 Cells,278MHz,0.25um/0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-144封装,详细参数为:所属产品系列:SX-A,逻辑门数量(Gates):8000,逻辑单元...
BF820W,135
BF820W,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@20V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@5mA@30m...
STM32F205VET6TR
STM32F205VET6TR,单片机，微控制器，120MHz，32位，512KB闪存，132K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LQFP,参数:MCU,120MHz,32Bit,512KB Flash,132K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
XC3120A-2PC68C
XC3120A-2PC68C,现场可编程门阵列(FPGA),1.5K Gates,64 Cells,323MHz,CMOS Technology,5V,由Xilinx原厂生产,PLCC-68封装,详细参数为:所属产品系列:XC3000,逻辑门数量(Gates):1500,逻辑单元数量(Cells):64,逻辑单元数量(...
DRTR5V0U2SR-7
DRTR5V0U2SR-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Dual Uni-Dir 5.5V 0.4W,品牌:Diodes,封装:4SOT-143,参数:配置: Dual; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 0.4 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 0....
IRG4PC30UD
IRG4PC30UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=12A,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPS77515D
TPS77515D,单输出 LDO、500mA、固定电压 (1.5V)、快速瞬态响应、SVS,品牌:TI,封装:SOIC-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.5 A,输出电压:1.5 V,最大功耗:904 mW,典型压差电压@电流:...
TPA2013D1
TPA2013D1,1.8W 升压 D 类音频功率放大器,TI原厂生产,QFN-20封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2DB1132R-13
2DB1132R-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:180@100mA@3V; 最大工作频率:190(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA...
ADBF525WBBCZ402
ADBF525WBBCZ402,品牌:Analog Devices,封装:CSBGA-208,详细参数:最大速度:400 MHz,数据总线宽度:40 Bit,设备输入时钟速度:400 MHz,指令集架构:Modified Harvard,工作电源电压:1.2|1.8|2.5|3.3 V,工作温度:-40 to 85 ℃...
LP3852ESX-1.8/NOPB
LP3852ESX-1.8/NOPB,1.5A 快速响应超低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:TO263-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.5 V,最大输入电压:7 V,最大输出电流:1.5 A,输出电压:1.8 V,典型压差电压@电流:0.024@150mA|0.24@1.5A...