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SE314

SE314,红外发射管,NEC原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

F930G226KAA

F930G226KAA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 22 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

MIR-3305-P

MIR-3305-P,反射式开关,由UNI原厂生产,TOP-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,易安装,最佳感应距离1-10mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TPSE476K035H0200

TPSE476K035H0200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-43,E型,参数:容值: 47 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...

P6KE110A-T

P6KE110A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 94V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...

IRLML2402

IRLML2402,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

R417103130

R417103130,固定衰减器,Fixed Coaxial Attenuators 3GHz 3dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

CL31B472KGFNNNE

CL31B472KGFNNNE,高压X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 nF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562

BST52TA

BST52TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5m...

IRF1018ESL

IRF1018ESL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

UPSD3433EVB40U6

UPSD3433EVB40U6,单片机,微控制器,40MHz,8位,160KB闪存,8K RAM内存,品牌:ST,封装:80-LQFP,参数:MCU,40MHz,8Bit,160KB Flash,8K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

PZT2222A,135

PZT2222A,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|50@150mA@1V|100@150...

XC2VP7-6FG456C

XC2VP7-6FG456C,现场可编程门阵列(FPGA),11088 Cells,1200MHz,0.13um/90nm (CMOS) Technology,1.5V,由Xilinx原厂生产,FBGA-456封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-II Pro,逻辑单元数量(Cells):11088,逻辑单元数...

B45196E6155K309

B45196E6155K309,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 1.5 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

TAJB685M020RNJ

TAJB685M020RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...

LC80

LC80, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 80V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.6 A; 最大反向漏电流: 10 ...

TLC2254AIPWRG4

TLC2254AIPWRG4 ,轨至轨四路运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:0.2 MHz,典型转换速率:0.12@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.25@5V mA,最大输入失调电压:0.85@±2.5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@±2...

EP1SGX25DF672C5N

EP1SGX25DF672C5N,现场可编程门阵列(FPGA),25660 Cells,5000MHz,CMOS Technology,1.5V,由Altera原厂生产,FC-FBGA-672封装,详细参数为:所属产品系列:Stratix GX,逻辑单元数量(Cells):25660,逻辑单元数量(Units):256...

MC33078DG4

MC33078DG4 ,双路高速低噪声运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:16 MHz,典型转换速率:7@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:5@±15V mA,最大输入失调电压:2@±15V mV,最大输入偏置电流:0.75@±15V uA,典型输入噪声电...

A3282EUA-T2

A3282EUA-T2,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562