产品展示_深圳市泽泰科技有限公司

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TPT5610

TPT5610,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=350+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BZW04-136BHE3

BZW04-136BHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流...

G5LE136DC5

G5LE136DC5,继电器,SPDT,8ADC/10AAC,5VDC,70Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:8DC|10AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:72 mA; 线圈电阻:70 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide...

T409G226K015DHT200

T409G226K015DHT200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: G型,参数:容值: 22 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.1 Ohm;外形尺寸: 6.73*2.79*2.79 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...

BTA216B-600E,118

BTA216B-600E,118,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:25 mA; 浪涌电流额定值:150 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@20A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电...

TAZF155K050CBSB0024

TAZF155K050CBSB0024,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: F型,参数:容值: 1.5 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 4 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...

OPA3355

OPA3355,具有关断状态的 2.5V 200MHz 的 GBW CMOS 三路运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14,SOIC-14封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

T409G226K015DHT250

T409G226K015DHT250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: G型,参数:容值: 22 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.1 Ohm;外形尺寸: 6.73*2.79*2.79 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...

OPA4314AIPWR

OPA4314AIPWR ,四路、3MHz、低功耗、低噪声、RRI/O、1.8V CMOS 运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:3 MHz,典型转换速率:1.5@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大输入失调电压:2.5@5.5V mV,最大输入偏置电流:0.000...

P6SMB7.5CA-E3

P6SMB7.5CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.4V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.1 A; 最大反向漏电流: 10...

OPA2348AIDGKR

OPA2348AIDGKR ,1MHz、45uA、RRIO、双路运算放大器,TI原厂生产,VSSOP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:0.5@5.5V V/us,轨至轨输入/输出,最大输入失调电压:5@5V mV,最大输入偏置电流:0.00001@5.5V uA,典型输入噪声...

SMBJ6.0CA

SMBJ6.0CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 58.3 A; 最大反向漏电流: 160...

IRLMS5703

IRLMS5703,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=400.0mOhms,Qg Typ=7.2nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存...

BCP53TA

BCP53TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集...

TLC274BIN

TLC274BIN ,LinCMOS(TM) 精密四路运算放大器,TI原厂生产,PDIP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.7 MHz,典型转换速率:3.6@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:6.4@5V mA,最大输入失调电压:2@5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@5V u...

THS4281DRG4

THS4281DRG4 ,极低功耗高速轨至轨输入/输出电压反馈运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,电压反馈放大器,典型转换速率:34@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大输入失调电压:2.5@5V mV,最大输入偏置电流:0.8@5V uA,典型输入噪声电压密度:12.5@5V nV/rtHz...

T495D226K025ATE230

T495D226K025ATE230,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 22 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.23 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...

J176_D74Z

J176_D74Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

TMS320C6712DZDP150

TMS320C6712DZDP150,浮点数字信号处理器,32-Bit 150MHz 1200MIPS,品牌:Texas Instruments,封装:BGA-272,详细参数:数字和算术格式:Floating-Point,最大速度:150 MHz,设备每秒百万指令:1200 MIPS,数据总线宽度:32 Bit,设备...