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DDTA143ZUA-7-F

DDTA143ZUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...

74HC174D

74HC174D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562

P1AFS600-2FG256

P1AFS600-2FG256,现场可编程门阵列(FPGA),600K Gates,1470.59MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Fusion,逻辑门数量(Gates):600000,系统门数量(System...

CWR29FB226KBEZ

CWR29FB226KBEZ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: E型,参数:容值: 22 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.6 Ohm;外形尺寸: 5.08*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

THS4032CDGN

THS4032CDGN ,双路 100MHz 低噪声电压反馈放大器,TI原厂生产,HTSSOP-8 EP封装,参数为:2通道,电压反馈放大器,典型增益带宽:120 MHz,典型转换速率:80@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:18@±5V mA,最大输入失调电压:2@±5V mV,最大输入偏置电流:6@±5...

T492B475K015DCT200

T492B475K015DCT200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 4 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...

5ASXBB3D4F31I5N

5ASXBB3D4F31I5N,现场可编程门阵列(FPGA),350000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,FBGA-896封装,详细参数为:所属产品系列:Arria V SX,逻辑单元数量(Cells):350000,逻辑单元数量(Units):350000,寄存器数量(Registers):...

TMS320LF2403APAGA

TMS320LF2403APAGA,定点数字信号处理器,16-Bit 40MHz 40MIPS,品牌:Texas Instruments,封装:TQFP-64,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:40 MHz,RAM大小:2 KB,设备每秒百万指令:40 MIPS,数据总线宽度:16 Bit,设...

1SMB13AT3G

1SMB13AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...

BC847BDW1T1G

BC847BDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@1...

MAX2240EBL

MAX2240EBL,射频运放芯片,RF Amp Chip Single Power Amp 2.5GHz 5V,品牌:Maxim,封装:9UCSP,咨询购买请致电:0755-83897562

SMAJ36A-E3

SMAJ36A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...

LM2990T-5.0

LM2990T-5.0,负低压降稳压器,品牌:TI,封装:TO220-3,详细参数为:电压极性:Negative,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:-26 V,最大输入电压:0.3 V,最大输出电流:1.8 A,输出电压:-5 V,典型压差电压@电流:0.1@100mA|0.6@1A V,精度:±5 %,线...

5KP24AE3

5KP24AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 128 A; 最大反向漏电流:...

EPF6016ATI100-2

EPF6016ATI100-2,现场可编程门阵列(FPGA),16K Gates,1320 Cells,166.67MHz,CMOS Technology,3.3V,由Altera原厂生产,TQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:FLEX 6000,逻辑门数量(Gates):16000,逻辑单元数量(Cells...

MMSZ5246B

MMSZ5246B,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=16V,Min=15.2V,Max=16.8V,Zzt=17欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ADBF549WBBCZ5M03

ADBF549WBBCZ5M03,品牌:Analog Devices,封装:CSBGA-400,详细参数:最大速度:533 MHz,数据总线宽度:40 Bit,设备输入时钟速度:533 MHz,指令集架构:Modified Harvard,工作电源电压:1.2|2.5|3.3 V,工作温度:-40 to 85 ℃,抗辐...

BT137-600D,127

BT137-600D,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:10 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发...

VS-T70RIA40

VS-T70RIA40,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D-55-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:70 A; 浪涌电流额定值:1740 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.55 V; 重复峰值断态电流:0.1 mA...

BU2008-E3/45

BU2008-E3/45,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 BU,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:800 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:3.5 A; 峰值正向电压:1.05@10A V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安...