LM124AWGRQMLV
LM124AWGRQMLV ,四路运算放大器,TI原厂生产,CPAK-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:0.1(Min)@30V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V mA,最大输入失调电压:2@5V mV,最大输入偏置电流:0.01@5V uA,典型输入噪声电...
XC2VP30-7FGG676C
XC2VP30-7FGG676C,现场可编程门阵列(FPGA),30816 Cells,1350MHz,0.13um/90nm (CMOS) Technology,1.5V,由Xilinx原厂生产,FBGA-676封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-II Pro,逻辑单元数量(Cells):30816,逻辑单...
NE5534DRG4
NE5534DRG4 ,低噪声运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:10 MHz,典型转换速率:13@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:8@±15V mA,最大输入失调电压:4@±15V mV,最大输入偏置电流:1.5@±15V uA,典型输入噪声电压密度:...
15KP30A/TR8
15KP30A/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 296 A; 最大反...
T495D226M035AHE30072
T495D226M035AHE3007280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 22 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.3 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0...
PTVS15VP1UTP,115
PTVS15VP1UTP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 24.6 A; 最大反向漏电...
CL31C102JHHNNNF
CL31C102JHHNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
P4KE47A-E3
P4KE47A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流...
XC2VP40-6FGG676I
XC2VP40-6FGG676I,现场可编程门阵列(FPGA),43632 Cells,1200MHz,0.13um/90nm (CMOS) Technology,1.5V,由Xilinx原厂生产,FBGA-676封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-II Pro,逻辑单元数量(Cells):43632,逻辑单...
TLV4112TDA1
TLV4112TDA1 ,高输出驱动运算放大器,TI原厂生产,8MSOP-PowerPAD,SOIC-8,PDIP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:2.7 MHz,典型转换速率:1.6 V/us,轨至轨输出,最大输入失调电压:3.5 mV,最大输入偏置电流:0 uA,典型输入噪声电压密度:20 nV/...
LM9036QMM-3.3/NOPB
LM9036QMM-3.3/NOPB,超低静态电流电压稳压器,品牌:TI,封装:MSOP-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最大输入电压:40 V,最大输出电流:0.05 A,输出电压:3.3 V,典型压差电压@电流:0.05@0.1mA|0.2@50mA V,精度:±5 %,线性调整:30 mV...
STM8AF5289TCX
STM8AF5289TCX,单片机，微控制器，24MHz，8位，64KB闪存，4K RAM内存,品牌:ST,封装:64-LQFP,参数:MCU,24MHz,8Bit,64KB Flash,4K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
NSB1706DMW5T1G
NSB1706DMW5T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式...
STA680Q
STA680Q,射频传感器,HD Radio Baseband Receiver AM/FM 1.2V/1.8V/3.3V,品牌:STM,封装:144LQFP,咨询购买请致电:0755-83897562
TISP4070H3LMR-S
TISP4070H3LMR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:DO-92-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:58 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:58 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 ...
M39016/10-035L
M39016/10-035L,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,12VDC,1.025KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:11.71 ...
MKP3V240G
MKP3V240G,可控硅整流器,品牌:ON,封装:Case-2 267-03,参数:类型:SIDAC; 重复峰值反向电压:180 V; 最大保持电流:100 mA; 浪涌电流额定值:20 A; 重复峰值正向阻断电压:180 V; 峰值通态电压:1.5@1A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 工作温度:-40 ...
TAZD226M010CBSZ0000
TAZD226M010CBSZ0000,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: D型,参数:容值: 22 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 4 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...
TPS78001DDCRG4
TPS78001DDCRG4,超低功耗,150mA,可调节电压(1.2V至5.25V) LDO稳压器,品牌:TI,封装:SOT5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.2 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:1.22 to 5.25 V,最大功耗:500 ...
XC5VLX155-2FF1153C
XC5VLX155-2FF1153C,现场可编程门阵列(FPGA),65nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1153封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-5 LX,典型操作电源电压:1 V,最大用户输入/输出数量:800,内存RAM位数:7077888,在系统可编...