• 登录
社交账号登录

MWE6IC9100GNR1

MWE6IC9100GNR1,射频运放模块,RF Amp Module Single Power Amp 960MHz 32V,品牌:Freescale,封装:15TO-270 W GULL,咨询购买请致电:0755-83897562

BT137-600G0TQ

BT137-600G0TQ,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:40 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电...

OPA2830

OPA2830,二路、低功耗、单电源宽带运算放大器,TI原厂生产,VSSOP-8,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

LP2988IMM-3.0/NOPB

LP2988IMM-3.0/NOPB,具有可编程上电复位延迟的微功耗,200 mA 超低压降 低噪声电压稳压器,品牌:TI,封装:MSOP-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.1 V,最大输入电压:16 V,最大输出电流:0.2 A,输出电压:3 V,典型压差电压@电流:0.001...

LMV7219M7

LMV7219M7 ,具有轨至轨输出的 7 nsec、2.7V 至 5V 比较器,TI原厂生产,SC-70-5封装,参数为:1 路, 轨至轨输出, 最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:5 V,温度范围:-40 to 85 ℃,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SMBG14CAHE3

SMBG14CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 25.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...

TLV320DAC3202BYZJR

TLV320DAC3202BYZJR,低功耗高保真 I2S 输入耳机 IC,由TI原厂生产,WCSP-20封装,参数为:分辨率:24 Bit,转换速率:48 Ksps,架构:Delta-Sigma,数字接口类型:Serial,DAC通道数:2,每芯片输出:2,输出类型:Voltage,信噪比:100(Typ) dB,是...

T495C475K035AHE500

T495C475K035AHE500,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.5 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...

T491C474K050AH

T491C474K050AH,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 0.47 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 8 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...

CPH3215-TL-E

CPH3215-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.225@15mA@7...

TAZH106K035CBLC0824

TAZH106K035CBLC0824,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: H型,参数:容值: 10 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.5 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...

SMCJ5630AE3

SMCJ5630AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 132 A; 最大...

LC60A

LC60A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.5 A; 最大反向漏电流: 10...

STM32F103C8T6

STM32F103C8T6,单片机,微控制器,72MHz,32位,64KB闪存,20K RAM内存,品牌:ST,封装:48-LQFP,参数:MCU,72MHz,32Bit,64KB Flash,20K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

T491D336M020AH

T491D336M020AH,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 33 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.8 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...

SMBJ100E3

SMBJ100E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电...

R573403610

R573403610,射频开关,RF Switch SP6T 0MHz to 18GHz 60dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

5AGXBB3D4F31C5N

5AGXBB3D4F31C5N,现场可编程门阵列(FPGA),362000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,FBGA-896封装,详细参数为:所属产品系列:Arria V GX,逻辑单元数量(Cells):362000,逻辑单元数量(Units):362000,寄存器数量(Registers):...

TAJC107M006RNJ

TAJC107M006RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 100 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 6*2.6*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...

T1650-600G-TR

T1650-600G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:50 mA; 浪涌电流额定值:170 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@22.5A V; 重复峰值断态电流:0...