XC3S1600E-4FGG320C
XC3S1600E-4FGG320C,现场可编程门阵列(FPGA),1.6M Gates,33192 Cells,572MHz,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-320封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3E,逻辑门数量(Gates):1600000,...
XC6SLX25-2FG484I
XC6SLX25-2FG484I,现场可编程门阵列(FPGA),24051 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LX,逻辑单元数量(Cells):24051,逻辑单元数量(Units):24051...
2SB1202S-TL-E
2SB1202S-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@100mA@2...
CWR19FK686KBGZ
CWR19FK686KBGZ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: G型,参数:容值: 68 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.1 Ohm;外形尺寸: 6.73*2.79*2.79 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
G6K2FYDC24BYOMR
G6K2FYDC24BYOMR,继电器,DPDT,1A,24VDC,5.22KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:4.6 mA; 线圈电阻:5.22 KOhm; 触点材质:Silver/Gold Clad...
STX13004-AP
STX13004-AP,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:15@0.5mA@2V|26@400mA@2V|10@1A@5V|6@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压...
LMP7701MF/NOPB
LMP7701MF/NOPB ,精密、CMOS 输入、RRIO、宽电源范围放大器,TI原厂生产,SOT-23-5,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TAJT685M006RNJ
TAJT685M006RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-12,T型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.2*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
CL21C300JBANNNC
CL21C300JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值30 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
843001CGILFT
843001CGILFT,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:8TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
T543D106K050AHW100
T543D106K050AHW100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 10 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:0755-...
TPSE337M006Y0100
TPSE337M006Y0100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-43,E型,参数:容值: 330 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
1.5KE51A-E3
1.5KE51A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电...
NUP2115LT3G
NUP2115LT3G,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:TVS; 配置:Dual; 引脚数量:3; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:50 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:23@Contact Disc|8@HBM|0.4@MM kV; ...
G6J2PYDC3
G6J2PYDC3,继电器,DPDT,1A,3VDC,62.5Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Ultra-Compact and Slim Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:48 mA; 线圈电阻:62.5 Ohm; 触点材质:Silver/Gold...
IRF6609
IRF6609,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPSD476K016R0150V
TPSD476K016R0150V,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 47 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.15 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
ADS4128IRGZT
ADS4128IRGZT,12位200MSPS 超低功耗 ADC,由TI原厂生产,VQFN-48 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:200 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:Pipelined,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Parallel|Serial|LVDS,输入类型:Vol...
95V847AGLFT
95V847AGLFT,射频IC,锁向环,IC ZERO DELAY PLL CLOCK DRIVER SNGL 45 TO 233MHZ 2.5V 24TSSOP,品牌:IDT,封装:24TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
GSIB2020-E3/45
GSIB2020-E3/45,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 GSIB-5S,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:200 V; 峰值反向电流:10 uA; 峰值平均正向电流:3.5 A; 峰值正向电压:1@10A V; 工作温度:-55 to 150...