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XC7VX485T-1FFG1158I

XC7VX485T-1FFG1158I,现场可编程门阵列(FPGA),485760 Cells,28nm Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1158封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-7 XT,逻辑单元数量(Cells):485760,逻辑单元数量(Units):303600,寄...

T491X686M020AT

T491X686M020AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 68 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.7 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...

XC6VLX240T-L1FFG1156

XC6VLX240T-L1FFG1156I,现场可编程门阵列(FPGA),241152 Cells,40nm (CMOS) Technology,0.9V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1156封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-6 LXT,逻辑单元数量(Cells):241152,逻辑单元数量(Uni...

SSM2212RZ-R7

SSM2212RZ-R7,功率晶体管,品牌:ADI,封装:SOIC-8 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.02 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA|200@0.01mA; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...

G6B2214PUS24DC

G6B2214PUS24DC,继电器,DPST-NO,5A,24VDC,1.92KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:12.5 mA; 线圈电阻:1.92 KOhm; 触点材质:Silver(Cadm...

TPSC107K006H0075

TPSC107K006H0075,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 100 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.075 Ohm;外形尺寸: 6*2.6*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...

IGD06N60T

IGD06N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...

XC3164A-4PC84I

XC3164A-4PC84I,现场可编程门阵列(FPGA),4.5K Gates,224 Cells,227MHz,CMOS Technology,5V,由Xilinx原厂生产,PLCC-84封装,详细参数为:所属产品系列:XC3100A,逻辑门数量(Gates):4500,逻辑单元数量(Cells):224,逻辑单元...

XC5VSX50T-2FFG665I

XC5VSX50T-2FFG665I,现场可编程门阵列(FPGA),52224 Cells,65nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-665封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-5 SXT,逻辑单元数量(Cells):52224,逻辑单元数量(Units):5222...

1.5KE170AHE3

1.5KE170AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 145V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流...

ADS8365IPAGR

ADS8365IPAGR,4个1位10MHz 2 级 Δ-Σ 调制器的A/D 转换器,由TI原厂生产,TQFP-64封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:250 ksps,ADC数量:6,模拟输入数量:6,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Parallel,输入类型:Voltage,输入电压极性...

R411809124

R411809124,固定衰减器,Fixed Coaxial Attenuators 6GHz 9dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

GBPC35005-E4/51

GBPC35005-E4/51,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 GBPC,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:50 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:35 A; 峰值正向电压:1.1@17.5A V; 工作温度:-55 to 150 ...

CD143A-SR2.8

CD143A-SR2.8,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Bourns,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Di...

TLE2062IDG4

TLE2062IDG4 ,双路 JFET 输入高输出驱动微功耗运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1.8 MHz,典型转换速率:3.4@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:0.62@±5V mA,最大输入失调电压:5@±5V mV,最大输入偏置电流:0.000...

M39016/26-020M

M39016/26-020M,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,26.5VDC,4KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:26.5 V; 线圈电流:7.2 mA...

1.5KE47CA

1.5KE47CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40.2V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 119 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...

P0102DN 5AA4

P0102DN 5AA4,可控硅整流器,品牌:ST Micro,封装:SOT-223-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:5 mA; 额定平均通态电流:0.5@Ta=70C A; 浪涌电流额定值:8 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.95@1.6A V; 重...

1.5SMC130CA-E3

1.5SMC130CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 111V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流: ...

CL31B471KGFNNNE

CL31B471KGFNNNE,高压X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值470 pF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562